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半导体研究所 [8]
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First principles study of the electronic properties of twinned SiC nanowires
期刊论文
journal of nanoparticle research, 2011, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 185-191
作者:
Li JB
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浏览/下载:100/6
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提交时间:2011/07/05
Twinned SiC nanowires
Electronic properties
Ab initio
Modeling and simulation
SILICON-CARBIDE NANOWIRES
FIELD-EMISSION PROPERTIES
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INAS NANOWIRES
GROWTH
NANOTUBES
NITRIDE
DIFFUSION
NANORODS
ENERGY
Blue Luminescent Properties of Silicon Nanowires Grown by a Solid-Liquid-Solid Method
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: art. no. 057305
Peng YC (Peng Ying-Cai)
;
Fan ZD (Fan Zhi-Dong)
;
Bai ZH (Bai Zhen-Hua)
;
Zhao XW (Zhao Xin-Wei)
;
Lou JZ (Lou Jian-Zhong)
;
Cheng X (Cheng Xu)
收藏
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浏览/下载:159/35
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提交时间:2010/05/24
POROUS SILICON
MECHANISM
EMISSION
Combination of passivated si anode with phosphor doped organic to realize highly efficient si-based electroluminescence
期刊论文
Optics express, 2008, 卷号: 16, 期号: 7, 页码: 5158-5163
作者:
Zhao, W. Q.
;
Ran, G. Z.
;
Liu, Z. W.
;
Bian, Z. Q.
;
Sun, K.
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Photoluminescence mechanism of Si nanocrystals embedded in SiO2 matrix
会议论文
3rd international conference on group iv photonics, ottawa, canada, sep 13-15, 2006
Wang XX (Wang Xiaoxin)
;
Cheng BW (Cheng Buwen)
;
Yu JZ (Yu Jinzhong)
;
Wang QM (Wang Qiming)
收藏
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浏览/下载:307/67
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提交时间:2010/03/29
POROUS SILICON
Carbonization process of Si(100) by ion-beam bombardment
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 3, 页码: 446-450
Liao MY
;
Chai CL
;
Yao ZY
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:83/8
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提交时间:2010/08/12
diffusion
growth models
ion bombardment
reflection high energy electron diffraction
physical vapor phase deposition
semiconducting silicon compounds
CUBIC GAN
GROWTH
DEPOSITION
EPITAXY
SILICON
DIAMOND
Experimental and numerical investigations on dissolution and recrystallization processes of GaSb/InSb/GaSb under microgravity and terrestrial conditions
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 40-50
Hayakawa Y
;
Okano Y
;
Hirata A
;
Imaishi N
;
Kumagiri Y
;
Zhong X
;
Xie X
;
Yuan B
;
Wu F
;
Liu H
;
Yamaguchi T
;
Kumagawa M
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
microgravity
Chinese recoverable satellite
GaSb
InxGa1-xSb
dissolution
recrystallization
orientation
FLOATING-ZONE GROWTH
INXGA1-XSB CRYSTALS
GASB
MELT
INSB
DIFFUSION
SILICON
CONVECTION
STRIATION
The origin of visible photoluminescence from silicon oxide thin films prepared by dual-plasma chemical vapor deposition
期刊论文
Journal of applied physics, 1998, 卷号: 83, 期号: 10, 页码: 5386-5393
作者:
Zhu, M
;
Han, Y
;
Wehrspohn, RB
;
Godet, C
;
Etemadi, R
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001)
期刊论文
revista mexicana de fisica, 1998, 卷号: 44, 期号: 0, 页码: 85-88
Zou LF
;
Acosta-Ortiz SE
;
Zou LX
;
Regalado LE
;
Sun DZ
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:34/0
  |  
提交时间:2010/08/12
diffusion
implantation
Ge ion
BF2 ion
ION-IMPLANTATION
REGROWTH
SILICON
LAYERS
ELECTRICAL-PROPERTIES
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