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半导体研究所 [54]
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External electric field manipulations on structural phase transition of vanadium dioxide nanoparticles and its application in field effect transistor
期刊论文
Journal of physical chemistry c, 2011, 卷号: 115, 期号: 47, 页码: 23558-23563
作者:
Li, W. W.
;
Zhu, J. J.
;
Liang, J. R.
;
Hu, Z. G.
;
Liu, J.
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Well-aligned zn-doped tilted inn nanorods grown on r-plane sapphire by mocvd
期刊论文
Nanotechnology, 2011, 卷号: 22, 期号: 23, 页码: 7
作者:
Zhang, Biao
;
Song, Huaping
;
Xu, Xiaoqing
;
Liu, Jianming
;
Wang, Jun
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2019/05/12
Infrared transition properties of vanadium dioxide thin films across semiconductor-metal transition
期刊论文
Rare metals, 2011, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 247-251
作者:
Liang Jiran
;
Hu Ming
;
Kan Qiang
;
Liang Xiuqin
;
Wang Xiaodong
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2019/05/12
Vanadium dioxide
Infrared transition
Diffraction effect
Dual ion beam sputtering
Annealing
Raman study of ultrathin Fe(3)O(4) films on GaAs(001) substrate: stoichiometry, epitaxial orientation and strain
期刊论文
journal of raman spectroscopy, 2011, 卷号: 42, 期号: 6, 页码: 1388-1391
Zhang, J
;
Tan, PH
;
Zhao, WJ
;
Lu, J
;
Zhao, JH
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2012/01/06
Raman spectroscopy
ultrathin Fe(3)O(4) film
crystal orientation
strain
phonon strain-shift coefficient
PULSED-LASER DEPOSITION
THIN-FILMS
SPIN-TRANSPORT
MAGNETITE
SEMICONDUCTORS
SPINTRONICS
SCATTERING
CORROSION
DEVICES
GROWTH
The explanation of InN bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations
期刊论文
physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155
作者:
Li JB
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浏览/下载:59/6
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提交时间:2011/07/05
First principle calculation
Indium nitride
Band gap
Defect
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
AUGMENTED-WAVE METHOD
INDIUM NITRIDE
GAP
PSEUDOPOTENTIALS
SEMICONDUCTORS
IMPURITIES
ABSORPTION
DEFECTS
ALLOYS
Quantum mechanical simulation of electronic transport in nanostructured devices by efficient self-consistent pseudopotential calculation
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.54503
作者:
Jiang XW
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浏览/下载:50/2
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提交时间:2011/07/05
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
SEMICONDUCTOR-DEVICES
SILICON DEVICES
MONTE-CARLO
MOSFETS
NANOTRANSISTORS
APPROXIMATION
EQUATIONS
DESIGN
MODELS
GeSn p-i-n photodetector for all telecommunication bands detection
期刊论文
optics express, 2011, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: 6408-6413
Su SJ
;
Cheng BW
;
Xue CL
;
Wang W
;
Cao QA
;
Xue HY
;
Hu WX
;
Zhang GZ
;
Zuo YH
;
Wang QM
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浏览/下载:70/5
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提交时间:2011/07/05
HIGH-PERFORMANCE
SEMICONDUCTORS
SILICON
Electrical and magnetic properties of Ga(1-x)Gd(x)N grown by metal organic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 8, 页码: 83920
Gupta, S
;
Zaidi, T
;
Melton, A
;
Malguth, E
;
Yu, HB
;
Liu, ZQ
;
Liu, XT
;
Schwartz, J
;
Ferguson, IT
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/02/06
FERROMAGNETIC PROPERTIES
SEMICONDUCTORS
GAN
GAGDN
Structural and electronic properties of Si nanocrystals embedded in amorphous SiC matrix
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 9, 页码: 3963-3966
Song C
;
Rui YJ
;
Wang QB
;
Xu J
;
Li W
;
Chen KJ
;
Zuo YH
;
Wang QM
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浏览/下载:54/6
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提交时间:2011/07/05
Silicon carbide
Thin films
Crystal structure
Electronic properties
THIN-FILMS
SILICON
PHOTOLUMINESCENCE
SUPERLATTICE
ALLOYS
Preparation and optical performance of freestanding gan thick films
期刊论文
Rare metal materials and engineering, 2010, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 2169-2172
作者:
Hu Qiang
;
Wei Tongbo
;
Duan Ruifei
;
Yang Jiankun
;
Huo Ziqiang
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2019/05/12
Gan
Hvpe
Freestanding thick films
Stress release
Photoluminescence
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