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Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: first-principles calculations of the electronic structure of bi and n incorporated gaas 期刊论文
Physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 19, 页码: 4
作者:  Deng, Hui-Xiong;  Li, Jingbo;  Li, Shu-Shen;  Peng, Haowei;  Xia, Jian-Bai
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Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: First-principles calculations of the electronic structure of Bi and N incorporated GaAs 期刊论文
physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 19, 页码: art. no. 193204
Deng HX (Deng Hui-Xiong); Li JB (Li Jingbo); Li SS (Li Shu-Shen); Peng HW (Peng Haowei); Xia JB (Xia Jian-Bai); Wang LW (Wang Lin-Wang); Wei SH (Wei Su-Huai)
收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/12/27
1310 nm gainnas triple quantum well laser with 13 ghz modulation bandwidth 期刊论文
Electronics letters, 2009, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 356-u23
作者:  Zhao, H.;  Haglund, A.;  Westburgh, P.;  Wang, S. M.;  Gustavsson, J. S.
收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/12
Growth and characterization of gainnas by molecular beam epitaxy using a nitrogen irradiation method 期刊论文
Journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 7, 页码: 1723-1727
作者:  Zhao, H.;  Wang, S. M.;  Zhao, Q. X.;  Sadeghi, M.;  Larsson, A.
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12
1.3-1.55 微米 GaInNAs(Sb)/GaAs 量子阱生长与激光器制备研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
赵欢
收藏  |  浏览/下载：52/7  |  提交时间：2009/04/13
Spin-Polarized Localized Exciton Photoluminescence Dynamics in GaInNAs Quantum Wells 期刊论文
japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 10, 页码: art.no.100206
Lu SL (Lu, Shulong); Nosho H (Nosho, Hidetaka); Tackeuchi A (Tackeuchi, Atsushi); Bian LF (Bian, Lifeng); Dong JR (Dong, Jianrong); Niu ZC (Niu, Zhichuan)
收藏  |  浏览/下载：175/28  |  提交时间：2010/03/08
ALLOYS  
Growth and characterization of GaInNAs by molecular beam epitaxy using a nitrogen irradiation method 期刊论文
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 7, 页码: 1723-1727
Zhao H; Wang SM; Zhao QX; Sadeghi M; Larsson A
收藏  |  浏览/下载：180/35  |  提交时间：2010/03/08
1310 nm GaInNAs triple quantum well laser with 13 GHz modulation bandwidth 期刊论文
electronics letters, 2009, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 356-u23
Zhao H; Haglund A; Westburgh P; Wang SM; Gustavsson JS; Sadeghi M; Larsson A
收藏  |  浏览/下载：84/31  |  提交时间：2010/03/08
P-type doping of gainnas quaternary alloys 期刊论文
Physics letters a, 2008, 卷号: 373, 期号: 1, 页码: 165-168
作者:  Shi, Hongliang;  Duan, Yifeng
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Band-gap bowing and p-type doping of (zn, mg, be)o wide-gap semiconductor alloys: a first-principles study 期刊论文
European physical journal b, 2008, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 439-444
作者:  Shi, H. -L.;  Duan, Y.
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