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半导体研究所 [23]
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期刊论文 [20]
会议论文 [3]
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专题:半导体研究所
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Anomalous Temperature Dependence of Photoluminescence in InAs/InAlGaAs/InP Quantum Wire and Dot Hybrid Nanostructures
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: article no.27801
作者:
Xu B
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浏览/下载:51/3
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提交时间:2011/07/05
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
EMISSION
LASERS
WAVELENGTH
EXCITONS
ENERGY
First principles study of the electronic properties of twinned SiC nanowires
期刊论文
journal of nanoparticle research, 2011, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 185-191
作者:
Li JB
收藏
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浏览/下载:100/6
  |  
提交时间:2011/07/05
Twinned SiC nanowires
Electronic properties
Ab initio
Modeling and simulation
SILICON-CARBIDE NANOWIRES
FIELD-EMISSION PROPERTIES
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INAS NANOWIRES
GROWTH
NANOTUBES
NITRIDE
DIFFUSION
NANORODS
ENERGY
High power, high energy nanosecond pulsed fiber amplifier with a 20-mu m-core fiber
期刊论文
laser physics, 2011, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 536-539
作者:
Dong ZY
;
Sun L
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浏览/下载:60/6
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提交时间:2011/07/06
TEMPERATURE-DEPENDENCE
BEAM QUALITY
LASER
FREQUENCY
A 10-GHz bandwidth electroabsorption modulated laser by ultra-low-pressure selective area growth
期刊论文
chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 2016-2019
Zhao, Q
;
Pan, JQ
;
Zhou, F
;
Wang, BJ
;
Wang, LF
;
Wang, W
收藏
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浏览/下载:34/14
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提交时间:2010/03/17
MOVPE
Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells
会议论文
international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003
作者:
Zhang YH
;
Jiang DS
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/15
molecular beam epitaxy
quantum wells
GaAsSb/GaAs
GAAS
LASERS
GAIN
Photoluminescence of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by InAlAs and InGaAs combination strain-reducing layer
期刊论文
chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 2061-2063
Fang ZD
;
Gong Z
;
Miao ZH
;
Xu XH
;
Ni HQ
;
Niu ZC
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浏览/下载:64/0
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提交时间:2010/08/12
1.3 MU-M
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
TEMPERATURE-DEPENDENCE
LASING CHARACTERISTICS
LASERS
WAVELENGTH
SEPARATION
LINEWIDTH
PROPERTY
GAIN
Polymorphous silicon nanowires synthesized by plasma-enhanced chemical vapor deposition
会议论文
symposium on quantum confined semiconductor nanostructures held at the 2002 mrs fall meeting, boston, ma, dec 02, 2001-dec 05, 2002
Zeng XB
;
Liao XB
;
Diao HW
;
Hu ZH
;
Xu YY
;
Zhang SB
;
Chen CY
;
Chen WD
;
Kong GL
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/10/29
LASER-ABLATION
SEMICONDUCTOR NANOWIRES
GROWTH
MECHANISM
EVAPORATION
DIAMETER
WIRES
Localized exciton dynamics in AlInGaN alloy
期刊论文
solid state communications, 2003, 卷号: 126, 期号: 8, 页码: 473-477
Huang JS
;
Dong X
;
Luo XD
;
Liu XL
;
Xu ZY
;
Ge WK
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
AlInGaN
quantum dots
hopping
stretched-exponential decay
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
LIGHT-EMITTING-DIODES
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
THERMAL-ACTIVATION
LUMINESCENCE
TRANSITIONS
RELAXATION
SILICON
LAYERS
Effect of InAlAs/InGaAs cap layer on optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 241, 期号: 3, 页码: 304-308
作者:
Xu B
;
Li CM
;
Jin P
;
Ye XL
;
Li DB
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浏览/下载:97/0
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提交时间:2010/08/12
atomic force microscopy
low dimensional structures
nanostructures
molecular beam epitaxy
semiconducting III-V materials
laser diodes
TEMPERATURE-DEPENDENCE
THRESHOLD CURRENT
MU-M
LASERS
Photoluminescence study of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by an InAlAs and InGaAs combination layer
期刊论文
journal of applied physics, 2002, 卷号: 92, 期号: 1, 页码: 511-514
作者:
Jin P
;
Li CM
;
Ye XL
;
Xu B
收藏
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
1.3 MU-M
TEMPERATURE-DEPENDENCE
GROWTH
GAAS
LASERS
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