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Influence of Fe in the buffer layer on the laser lift-off of AlGaN/GaN HEMT film: phenomena and mechanism 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 卷号: 35, 期号: 9, 页码: 095024
作者:  Fen Guo;   Quan Wang;   Hongling Xiao;   Lijuan Jiang;   Wei Li;   Chun Feng;   Xiaoliang Wang;  Zhanguo Wang
收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2021/05/25
(In)GaN/AlGaN/GaN异质结构中的二维电子和空穴气研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
闫俊达
收藏  |  浏览/下载：438/0  |  提交时间：2017/06/05
AlGaN/GaN HEMT 功率开关器件漏电与陷阱效应研究 学位论文
北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  郝美兰
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/06/14
常关型GaN HEMT器件制备研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
黄宇亮
收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2016/06/06
The study of the contribution of the surface and bulk traps to the dynamic Rdson in AlGaN/GaN HEMT by light illumination 期刊论文
applied physics letters, 2016, 卷号: 109, 期号: 18, 页码: 182103
Yanan Liang; Lifang Jia; Zhi He; Zhongchao Fan; Yun Zhang; Fuhua Yang
收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2017/03/16
基于AlGaN/GaN HEMT的太赫兹波探测器研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
白龙
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2016/05/25
The study of the contribution of the surface and bulk traps to the dynamic Rdson in AlGaN/GaN HEMT by light illumination 期刊论文
applied physics letters, 2016, 卷号: 109, 期号: 18, 页码: 182103
Yanan Liang; Lifang Jia; Zhi He; Zhongchao Fan; Yun Zhang; Fuhua Yang
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2017/03/16
Analysis of GaN cap layer effecting on critical voltage for electrical degradation of AlGaN/GaN HEMT 期刊论文
european physical journal-applied physics, 2014, 卷号: 68, 期号: 1, 页码: 10105
Qu, SQ; Wang, XL; Xiao, HL; Wang, CM; Jiang, LJ; Feng, C; Chen, H; Yin, HB; Yan, JD; Peng, EC; Kang, H; Wang, ZG; Hou, X
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2015/03/20
A Double-Gate AlGaN/GaN HEMT With Improved Dynamic Performance 期刊论文
ieee electron device letters, 2013, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 747-749
Yu, Guohao; Cai, Yong; Wang, Yue; Dong, Zhihua; Zeng, Chunhong; Zhao, Desheng; Qin, Hua; Zhang, Baoshun
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/08/27
AlGaN/GaN HEMT 电力电子器件制备与性能研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
林德峰
收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2013/06/20

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