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半导体研究所 [9]
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宽禁带半导体材料光学性质的研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
刘雅丽
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浏览/下载：87/0
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提交时间：2016/06/03
AlGaN/AlGaN 量子阱
GaN/AlN量子点
半导体金刚石
深紫外光致发光
激子-声子作用
激子局域化
AlGaN基深紫外发光二极管和激光器关键技术研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
田迎冬
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浏览/下载：73/0
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提交时间：2016/06/01
AlN
AlGaN 基深紫外 LED
AlGaN 基紫外 Laser
AlN 纳米柱
半极性面纳米锥
Al(Ga)N材料光致发光性质研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
王维颖
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浏览/下载：38/0
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提交时间：2014/06/03
AlGaN
深紫外光致发光
高温热退火
GaN/AlGaN量子阱
界面粗糙
偏振特性
GaN基发光二极管外延中p型AlGaN电子阻挡层的优化生长
期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 1, 页码: 016108-1-016108-6
作者:
王兵
;
李志聪
;
梁萌
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浏览/下载：70/0
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提交时间：2011/08/16
MOCVD生长Al_(0.48)Gao_(0.52)N/Al_(0.54)Ga_(0.36)N多量子阱的结构和光学特性
期刊论文
光电子·激光, 2009, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 1454-1457
作者:
王保柱
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浏览/下载：22/0
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提交时间：2010/11/23
Ⅲ-Ⅴ族半导体全(多)光谱焦平面探测器新进展
期刊论文
红外与激光工程, 2008, 卷号: 37, 期号: 1, 页码: 1-8
作者:
陈良惠
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浏览/下载：13/0
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提交时间：2010/11/23
GaN基蓝光激光器光场特性模拟
期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 1004-1008
作者:
侯识华
;
陈良惠
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浏览/下载：9/0
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提交时间：2010/11/23
MOVPE生长的GaN基蓝色与绿色LED
期刊论文
液晶与显示, 2001, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 1
作者:
韩培德
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浏览/下载：15/0
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提交时间：2010/11/23
发光二极管的制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130230A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
孙莉莉
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闫建昌
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王军喜
收藏
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浏览/下载：5/0
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提交时间：2012/09/09
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