| 题名 | 宽禁带半导体材料光学性质的研究 |
| 作者 | 刘雅丽 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2016-05-28 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 金鹏 |
| 关键词 | AlGaN/AlGaN 量子阱 GaN/AlN量子点 半导体金刚石 深紫外光致发光 激子-声子作用 激子局域化 |
| 学位专业 | 材料物理与化学 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 公开日期 | 2016-06-03 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27186]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘雅丽. 宽禁带半导体材料光学性质的研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2016. |
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