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半导体研究所 [10]
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期刊论文 [10]
发表日期
2010 [2]
2009 [2]
2007 [1]
2006 [2]
2005 [1]
2002 [2]
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Measurement of w-inn/h-bn heterojunction band offsets by x-ray photoemission spectroscopy
期刊论文
Nanoscale research letters, 2010, 卷号: 5, 期号: 8, 页码: 1340-1343
作者:
Liu, J. M.
;
Liu, X. L.
;
Xu, X. Q.
;
Wang, J.
;
Li, C. M.
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Valence band offset
W-inn/h-bn heterojunction
X-ray photoelectron spectroscopy
Conduction band offset
Valence band offset
Measurement of w-InN/h-BN Heterojunction Band Offsets by X-Ray Photoemission Spectroscopy
期刊论文
nanoscale research letters, 2010, 卷号: 5, 期号: 8, 页码: 1340-1343
Liu JM (Liu J. M.)
;
Liu XL (Liu X. L.)
;
Xu XQ (Xu X. Q.)
;
Wang J (Wang J.)
;
Li CM (Li C. M.)
;
Wei HY (Wei H. Y.)
;
Yang SY (Yang S. Y.)
;
Zhu QS (Zhu Q. S.)
;
Fan YM (Fan Y. M.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
  |  
浏览/下载:146/21
  |  
提交时间:2010/08/17
Valence band offset
w-InN/h-BN heterojunction
X-ray photoelectron spectroscopy
Conduction band offset
Valence band offset
NEGATIVE ELECTRON-AFFINITY
INDIUM NITRIDE
WURTZITE GAN
SURFACE
FILM
ALN
TRANSPORT
EMISSION
NAXWO3
GROWTH
The field emission properties of nonpolar a-plane n-type gan films grown on nano-patterned sapphire substrates
期刊论文
Physica status solidi a-applications and materials science, 2009, 卷号: 206, 期号: 7, 页码: 1501-1503
作者:
Sun, Lili
;
Yan, Fawang
;
Wang, Junxi
;
Zhang, Huixiao
;
Zeng, Yiping
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/05/12
The field emission properties of nonpolar a-plane n-type GaN films grown on nano-patterned sapphire substrates
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2009, 卷号: 206, 期号: 7, 页码: 1501-1503
Sun LL
;
Yan FW
;
Wang JX
;
Zhang HX
;
Zeng YP
;
Wang GH
;
Li JM
收藏
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浏览/下载:55/1
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提交时间:2010/03/08
ELECTRON-AFFINITY
Stability of gaas photocathodes under different intensities of illumination
期刊论文
Acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 10, 页码: 6109-6113
作者:
Zou Ji-Jun
;
Chang Ben-Kang
;
Yang Zhi
;
Gao Pin
;
Qiao Jian-Liang
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Gaas photocathode
Stability
Quantum efficiency
Surface potential barrier
The effect of be-doping structure in negative electron affinity gaas photocathodes on integrated photosensitivity
期刊论文
Applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 12, 页码: 4104-4109
作者:
Wang, XF
;
Zeng, YP
;
Wang, BQ
;
Zhu, ZP
;
Du, XQ
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Structure
Nea
Integrated photosensitivity
Gaas
Cs : o
The effect of Be-doping structure in negative electron affinity GaAs photocathodes on integrated photosensitivity
期刊论文
applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 12, 页码: 4104-4109
Wang XF
;
Zeng YP
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
;
Du XQ
;
Li M
;
Chang BK
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/04/11
structure
NEA
integrated photosensitivity
GaAs
Cs : O
SPECTRAL RESPONSE
NEA PHOTOCATHODES
LAYER THICKNESS
CS
SURFACE
PHOTOEMISSION
SYSTEM
High-Integrated-Photosensitivity Negative-Electron-Affinity GaAs Photocathodes with Multilayer Be-Doping Structures
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1692-1698
朱占平
;
Wang Xiaofeng
;
Zeng Yiping
;
Wang Baoqiang
;
Zhu Zhanping
;
Du Xiaoqing
;
Li Min
;
Chang Benkang
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/11/23
Structural properties and raman measurement of aln films grown on si (111) by nh3-gsmbe
期刊论文
Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 244, 期号: 3-4, 页码: 229-235
作者:
Luo, MC
;
Wang, XL
;
Li, JM
;
Liu, HX
;
Wang, L
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Atomic force microscopy
Raman
Transmission electron microscopy
Molecular beam epitaxy
Aluminium nitride
Structural properties and Raman measurement of AlN films grown on Si (111) by NH3-GSMBE
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 244, 期号: 3-4, 页码: 229-235
Luo MC
;
Wang XL
;
Li JM
;
Liu HX
;
Wang L
;
Sun DZ
;
Zeng YP
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:36/0
  |  
提交时间:2010/08/12
atomic force microscopy
Raman
transmission electron microscopy
molecular beam epitaxy
aluminium nitride
ELECTRON-AFFINITY
GAN
SI(111)
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