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硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
刘广政
收藏  |  浏览/下载：506/0  |  提交时间：2016/06/03
宽禁带半导体碳化硅(SiC)生长工艺及多片大面积外延技术的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:  闫果果
收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2011/06/01
高抗静电能力氮化镓基LED外延结构与MOCVD生长工艺研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:  李志聪
收藏  |  浏览/下载：97/6  |  提交时间：2011/06/07
宽带隙半导体材料SiC 外延生长工艺的研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
李家业
收藏  |  浏览/下载：38/1  |  提交时间：2009/04/13
光子晶体对nc-Ge/Si岛发光增强的模拟 期刊论文
发光学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 4, 页码: 435-441
唐海侠; 王启明
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/23
高饱和电流14xx nm应变量子阱激光器的研制 期刊论文
中国激光, 2005, 卷号: 32, 期号: 2, 页码: 161-163
作者:  韦欣
收藏  |  浏览/下载：195/8  |  提交时间：2010/11/23
半导体纳米结构的可控生长 期刊论文
人工晶体学报, 2002, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 208-217
王占国
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23
半导体材料的华丽家族-氮化镓基材料简介 期刊论文
物理, 2001, 卷号: 30, 期号: 7, 页码: 413
孙殿照
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23
采用TEOS和H_2O源PECVD方法生长氧化硅厚膜（英文） 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 5, 页码: 543
雷红兵; 王红杰; 邓晓清; 杨沁清; 胡雄伟; 王启明; 廖左升; 杨基南
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23
P型GaN和AlGaN外延材料的制备 期刊论文
高技术通讯, 2000, 卷号: 10, 期号: 8, 页码: 26
作者:  韩培德
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/23

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