高饱和电流14xx nm应变量子阱激光器的研制

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	高饱和电流14xx nm应变量子阱激光器的研制
	韦欣
刊名	中国激光
	2005
卷号	32 期号:2 页码:161-163
中文摘要	报道了14xx nm应变量子阱(SQW)激光器管芯的研制成果。通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长工艺生长14xx nm AlGaInAs/AlInAs/InP应变量子阱外延片，采用带有锥形增益区的脊型波导结构制作激光器管芯。生长好的外延片按照双沟脊型波导激光器制备工艺进行光刻、腐蚀，制作P面电极(溅射TiPtAu)、减薄、制作N面电极(蒸发AuGeNi)，然后将试验片解理成Bar；为获得高的单面输出功率，用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR)进行腔面镀膜，HR=90%，AR=5%；解理成的管芯P面朝下烧结到铜热沉上，TO3封装后在激光器综合测试仪进行测试。管芯功率达到440 mW以上，饱和电流3 A以上，峰值波长1430 nm，远场发散角为40°×14°。
学科主题	半导体器件
收录类别	CSCD
资助信息	国家863计划
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17165]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	韦欣. 高饱和电流14xx nm应变量子阱激光器的研制[J]. 中国激光,2005,32(2):161-163.
APA	韦欣.(2005).高饱和电流14xx nm应变量子阱激光器的研制.中国激光,32(2),161-163.
MLA	韦欣."高饱和电流14xx nm应变量子阱激光器的研制".中国激光 32.2(2005):161-163.