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上海微系统与信息技... [15]
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期刊论文 [15]
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2010 [2]
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专题:上海微系统与信息技术研究所
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75
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85
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95
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Active roles of helium in the growth of hydrogenated microcrystalline silicon germanium thin films
期刊论文
THIN SOLID FILMS, 2012, 卷号: 520, 期号: 18, 页码: 5940-5945
Zhang, LP
;
Zhang, JJ
;
Zhang, X
;
Cao, Y
;
Zhao, Y
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2013/04/24
Helium dilution
mu c-SiGe:H
Atomic H
Excitation transfer effect
Optical emission spectroscopy
The optical property of tensile-strained n-type doped Ge
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 3, 页码: 36202
Huang, SH
;
Li, C
;
Chen, CZ
;
Yuan-Yu, Z
;
Lai, HK
;
Chen, SY
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2013/04/17
strain
n-type doped germanium
internal quantum efficiency
optical gain
Germanium surface hydrophilicity and low-temperature Ge layer transfer by Ge-SiO2 bonding
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2010, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 769-774
Ma, XB
;
Liu, WL
;
Du, XF
;
Liu, XY
;
Song, ZT
;
Lin, CL
;
Chu, PK
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
SILICON-ON-INSULATOR
WAFER
BORON
ENERGY
Quantum-confined direct band transitions in tensile strained Ge/SiGe quantum wells on silicon substrates
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2010, 卷号: 21, 期号: 11, 页码: -
Chen, YH
;
Li, C
;
Lai, HK
;
Chen, SY
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/03/24
GERMANIUM
GE
RECOMBINATION
SI(100)
LAYERS
SI
Enhanced surface blistering of germanium with B+/H+ coimplantation
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2009, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 1063-1067
Ma, XB
;
Du, XF
;
Liu, WL
;
Chen, C
;
Song, ZT
;
Lin, CL
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/03/24
SILICON
TECHNOLOGY
BORON
Enhanced photoluminescence of strained Ge with a delta-doping SiGe layer on silicon and silicon-on-insulator
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 95, 期号: 25, 页码: 251102-251102
Li,C
;
Chen,YH
;
Zhou,ZW
;
Lai,HK
;
Chen,SY
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/03/24
ROOM-TEMPERATURE
GERMANIUM
GAIN
Interfacial characteristics of fully depleted SiGe-on-insulator (SGOI) substrate fabricated by modified Ge condensation
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2005, 卷号: 20, 期号: 8, 页码: L31-L35
Di, ZF
;
Zhang, M
;
Liu, WL
;
Luo, SH
;
Song, ZT
;
Lin, CL
;
Lin, Q
;
Chu, PK
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/03/24
ELECTRON-MOBILITY ENHANCEMENT
STRAINED-SI
DIFFUSION
OXIDATION
GERMANIUM
SILICON
ALLOYS
Relaxed silicon-germanium-on-insulator fabricated by oxygen implantation and oxidation-enhanced annealing
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2005, 卷号: 20, 期号: 8, 页码: 770-774
Chen, ZJ
;
Zhang, F
;
Chen, J
;
Jin, B
;
Wang, YJ
;
Zhang, CS
;
Zhang, ZX
;
Wang, X
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/03/24
HOLE MOBILITY ENHANCEMENT
RAMAN-SCATTERING
BUFFER LAYERS
STRAINED-SI
SUBSTRATE
ELECTRON
MOSFETS
Synthesis and electron storage characteristics of isolated silver nanodots on/embedded in Al2O3 gate dielectric
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2004, 卷号: 230, 期号: 1-4, 页码: 8-11
Wang, Q
;
Song, ZT
;
Liu, WL
;
Lin, CL
;
Wang, TH
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2011/12/02
INSULATOR-SEMICONDUCTOR STRUCTURE
GERMANIUM NANOCRYSTALS
SILICON NANOCRYSTALS
MEMORIES
SI
GROWTH
MATRIX
CHARGE
FILMS
Oxygen profile engineering in silicon by germanium addition and high-temperature annealing
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2003, 卷号: 83, 期号: 2, 页码: 305-307
An, ZH
;
Chu, PK
;
Zhang, M
;
Men, CL
;
Lin, CL
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/03/24
ION-IMPLANTATION
SI/SIO2 SUPERLATTICE
SI
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