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基于PCRAM的射频标签模拟前端关键电路设计 期刊论文
微电子学, 2012, 期号: 5, 页码: 651-654
王兆敏; 蔡道林; 陈后鹏; 宋志棠; 傅忠谦
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基于混合晶向SOI工艺的CMOS环形振荡器及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102098028A, 申请日期: 2011-06-15, 公开日期: 2011-06-15
黄晓橹; 伍青青; 魏星; 陈静; 张苗; 王曦
收藏  |  浏览/下载：456/0  |  提交时间：2012/01/06
一种具有扩展型沟槽的DRAM结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101996999A, 申请日期: 2011-03-30, 公开日期: 2011-03-30
黄晓橹; 陈静; 张苗; 王曦
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/01/06
一种降低CMOS瞬态功耗的电路 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101795134A, 申请日期: 2010-08-04, 公开日期: 2010-08-04
丁晟; 宋志棠; 陈后鹏
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/01/06
一种具有垂直栅结构的SOI CMOS器件 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101777564A, 申请日期: 2010-07-14, 公开日期: 2010-07-14
程新红; 何大伟; 俞跃辉; 肖德元; 王中健; 徐大朋
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/01/06
一种可调节垂直栅SOI CMOS器件沟道电流的叉指型结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101764136A, 申请日期: 2010-06-30, 公开日期: 2010-06-30
程新红; 何大伟; 俞跃辉; 肖德元; 王中健; 徐大朋
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一种具有垂直栅结构的SOI CMOS器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101764102A, 申请日期: 2010-06-30, 公开日期: 2010-06-30
程新红; 何大伟; 俞跃辉; 肖德元; 王中健; 徐大朋
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混合材料反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101719500A, 申请日期: 2010-06-02, 公开日期: 2010-06-02
肖德元; 王曦; 张苗; 陈静; 薛忠营
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混合材料积累型圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101719499A, 申请日期: 2010-06-02, 公开日期: 2010-06-02
肖德元; 王曦; 张苗; 陈静; 薛忠营
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混合晶向反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101719501A, 申请日期: 2010-06-02, 公开日期: 2010-06-02
肖德元; 王曦; 张苗; 陈静; 薛忠营
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