| 混合材料积累型圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管 | |
| 肖德元 ; 王曦 ; 张苗 ; 陈静 ; 薛忠营 | |
| 2010-06-02 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101719499A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种混合材料积累型圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管，其包括：具有p沟道的PMOS区域、具有n沟道的NMOS区域及栅区，其特征在于：所述的p沟道及n沟道均为圆柱体，且具有不同的半导体材料，所述的p沟道为Ge材料，所述的n沟道为Si材料；栅区域将所述p沟道及n沟道的表面完全包围；在PMOS与NMOS区域之间、PMOS区域或NMOS区域与Si衬底之间均有埋层氧化层将它们隔离。本器件结构简单、紧凑，集成度高，在积累工作模式下，电流流过整个圆柱形的沟道，具备高载流子迁移率，低低频器件噪声，并可避免多晶 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2010-06-02 |
| 申请日期 | 2009-12-01 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200910199721.9 |
| 专利代理 | 余明伟 ; 冯珺 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49296]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 肖德元,王曦,张苗,等. 混合材料积累型圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管. CN101719499A. 2010-06-02. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论