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Physical Description of Quasi-Saturation and Impact-Ionization Effects in High-Voltage Drain-Extended MOSFETs 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2009, 卷号: 56, 期号: 3, 页码: 492-498
Wang, L; Wang, J; Gao, C; Hu, J; Li, P; Li, WJ; Yang, SHY
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/03/24
Behavior of substrate enhanced electron injection in advanced deep sub-micron NMOSFETs 期刊论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2008, 卷号: 85, 期号: 3, 页码: 493-499
Wang,QX; Sun,LX; Yap,A; Zhang,YJ; Li,H; Liu,SH; Zou,SC
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/24
Improved analytical model for threshold behavior of sidegating effect in GaAs metal-semiconductor field-effect transistors induced by impact ionization of deep traps 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1999, 卷号: 85, 期号: 1, 页码: 604-607
Zhao, FC; Xia, GQ; Du, LX; Tan, HZ
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/25
Investigation of impact ionization using the balance-equation approach for multivalley nonparabolic semiconductors 期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 1998, 卷号: 42, 期号: 3, 页码: 419-423
Cao, JC; Lei, XL
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2011/12/17
Hot-electron transport and impact ionization process in Hg0.8Cd0.2Te 期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 1998, 卷号: 58, 期号: 7, 页码: 3529-3532
Wang, XF; Lima, ICD; LEI, XL（雷啸霖）（雷啸霖）; Troper, A
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/25
IMPACT IONIZATION IN BALANCE EQUATION THEORY 期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 1995, 卷号: 7, 期号: 40, 页码: 7871-7878
WANG, XF; LEI, XL（雷啸霖）
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