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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Oxygen gettering in Si by He ion implantation-induced cavity layer 期刊论文 NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2009, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 202-207 Ou, X; Zhang, B; Wu, AM; Zhang, M; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/24 BURIED OXIDE LAYERS  SILICON  DISLOCATIONS  GENERATION  VOIDS  AU   Improved GaN film overgrown with a molybdenum nanoisland mask 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 93, 期号: 3, 页码: 31906-31906 Lin, CT; Yu, GH; Wang, XZ; Cao, MX; Gong, H; Qi, M; Li, AZ 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/03/24 VAPOR-PHASE EPITAXY  MICRO-RAMAN  CATHODOLUMINESCENCE  DISLOCATIONS  LAYERS   Formation of ultra-thin silicon-on-insulator materials by low-dose low-energy oxygen ion implantation 期刊论文 CHEMICAL PHYSICS LETTERS, 2003, 卷号: 367, 期号: 1-2, 页码: 44-48 Wang, X; Chen, J; Dong, YM; Chen, M; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/24 DISLOCATION DENSITY  SIMOX WAFERS  LAYERS   PHOTOBEHAVIOR OF PARAMAGNETIC ANION ANTISITES IN PLASTICALLY DEFORMED GAAS 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1992, 卷号: 72, 期号: 4, 页码: 1323-1326 BENCHIGUER, T; MARI, B; SCHWAB, C; WU, J; WANG, GY 收藏  |  浏览/下载：103/0  |  提交时间：2012/03/25 SEMI-INSULATING GAAS  EPITAXIAL GAAS  DEFECTS  DEFORMATION  DISLOCATIONS  CRYSTALS  BULK  EL2   AL-DOPED GAAS CRYSTALS GROWN BY THE LEC METHOD 期刊论文 MATERIALS LETTERS, 1991, 卷号: 11, 期号: 8-9, 页码: 277-280 DU, LX; MO, PG; JU, W 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2012/03/25 DISLOCATION DENSITY