中国开放科研知识云: 检索

一种薄GOI晶片及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102290369A, 申请日期: 2011-12-21, 公开日期: 2011-12-21
张苗; 陈达; 卞剑涛; 姜海涛; 薛忠营

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采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130037A, 申请日期: 2011-07-20, 公开日期: 2011-07-20
魏星; 王中党; 叶斐; 曹共柏; 林成鲁; 张苗; 王曦

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基于混合晶向SOI工艺的CMOS环形振荡器及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102098028A, 申请日期: 2011-06-15, 公开日期: 2011-06-15
黄晓橹; 伍青青; 魏星; 陈静; 张苗; 王曦

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一种SOI电路中的ESD保护结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102082144A, 申请日期: 2011-06-01, 公开日期: 2011-06-01
黄晓橹; 魏星; 程新红; 陈静; 张苗; 王曦

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一种混晶材料的制备方法及用该材料制备的半导体器件 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102064097A, 申请日期: 2011-05-18, 公开日期: 2011-05-18
王曦; 张苗; 薛忠营

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一种具有扩展型沟槽的DRAM结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101996999A, 申请日期: 2011-03-30, 公开日期: 2011-03-30
黄晓橹; 陈静; 张苗; 王曦

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一种制备悬空应变材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101958238A, 申请日期: 2011-01-26, 公开日期: 2011-01-26
张苗; 张波; 王曦; 薛忠营; 魏星; 武爱民

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利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101958271A, 申请日期: 2011-01-26, 公开日期: 2011-01-26
张苗; 张波; 王曦; 薛忠营; 魏星; 武爱民

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一种绝缘体上超薄应变材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101958270A, 申请日期: 2011-01-26, 公开日期: 2011-01-26
张苗; 张波; 王曦; 薛忠营; 魏星; 武爱民

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体硅上外延超薄Si1-xGex用于制备SGOI材料 期刊论文
功能材料与器件学报, 2011, 期号: 02
薛忠营; 张波; 魏星; 张苗

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外延应变锗硅 SGOI

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