体硅上外延超薄Si1-xGex用于制备SGOI材料

	体硅上外延超薄Si1-xGex用于制备SGOI材料
	薛忠营 ; 张波 ; 魏星 ; 张苗
刊名	功能材料与器件学报
	2011
期号	02
关键词	外延应变锗硅 SGOI
ISSN号	1007-4252
中文摘要	采用减压化学气相沉积的方法在Si衬底上制备了高质量的Si0.75Ge0.25/Si/Si0.86Ge0.14叠层材料,通过TEM、光学显微镜和XRD分析表明,外延的SiGe薄膜具有完好的晶格结构,平整的表面质量,SiGe薄膜处于完全应变状态。通过与Si上外延渐变缓冲层制备的SiGe材料比较发现,使用这种超薄的全应变SiGe叠层材料来制备SGOI,可以大大缩短制备周期,降低制备成本。
语种	中文
公开日期	2012-04-13
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/107049]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	薛忠营,张波,魏星,等. 体硅上外延超薄Si1-xGex用于制备SGOI材料[J]. 功能材料与器件学报,2011(02).
APA	薛忠营,张波,魏星,&张苗.(2011).体硅上外延超薄Si1-xGex用于制备SGOI材料.功能材料与器件学报(02).
MLA	薛忠营,et al."体硅上外延超薄Si1-xGex用于制备SGOI材料".功能材料与器件学报 .02(2011).