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微电子研究所 [19]
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Improvement of durability and switching speed by incorporating nanocrystals in the HfOx based resistive random access memory devices
期刊论文
Applied Physics Letters, 2018
作者:
Wu QT(吴全潭)
;
Writam Banerjee
;
Cao JC(曹劲琛)
;
Ji ZY(姬濯宇)
;
Li L(李泠)
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/04/12
Total ionizing dose and single event effects of 1 Mb HfO2-based resistive random access memory
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018
作者:
Bi JS(毕津顺)
;
Yuan Duan
;
Xi K(习凯)
;
Li B(李博)
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/04/12
The impact of RTN signal on array level resistance fluctuation of resistive random access memory
期刊论文
Electron Device Letters, 2018
作者:
Xu XX(许晓欣)
;
Chen CB(陈传兵)
;
Liu J(刘璟)
;
Dong DN(董大年)
;
Yuan P(袁鹏)
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2019/04/18
Pulsed-Laser Testing for Single Event Effects in a Stand-Alone Resistive Random Access Memory
期刊论文
IPFA, 2017
作者:
Xi K(习凯)
;
Zhang F(张锋)
;
Li J(李金)
;
Ji LL(季兰龙)
;
Liu J(刘璟)
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2018/07/13
Single-Event-Effects Induced by Heavy Ion and Pulsed Laser on 16Mb Magneto-resistive Random Access Memory
会议论文
作者:
Zhang HH(张浩浩)
;
Bi JS(毕津顺)
;
Xi K(习凯)
;
Li J(李金)
;
Ji LL(季兰龙)
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2018/07/26
Nonvolatile reconfigurable sequential logic in a HfO2 resistive random access memory array
期刊论文
Nanoscale, 2017
作者:
Long SB(龙世兵)
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2018/07/12
Study of total ionizing dose induced read bit errors in magneto-resistive
期刊论文
Microelectronics Reliability, 2016
作者:
Hu HY(呼红阳)
;
Zhang HH(张浩浩)
;
Li J(李金)
;
Ji LL(季兰龙)
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2017/05/11
Research progresses of resistive random access memory
期刊论文
Sci Sin-Phys Mech Astron, 2016
作者:
Long SB(龙世兵)
;
Liu Q(刘琦)
;
Lv HB(吕杭炳)
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2017/05/11
Self-judgement flip coding for resistive random access memory
期刊论文
electronics letters, 2015
作者:
Zhang F(张锋)
;
Xiang ZY(项中元)
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2016/05/23
Conductance Quantization in Resistive Random Access Memory
期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2015
作者:
Li Y(李阳)
;
Long SB(龙世兵)
;
Liu Y(刘洋)
;
Hu C(胡晨)
;
Teng J(腾蛟)
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2016/05/24
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