QQ客服 官方微博 反馈留言

	Single-Event-Effects Induced by Heavy Ion and Pulsed Laser on 16Mb Magneto-resistive Random Access Memory
	Zhang HH(张浩浩); Bi JS(毕津顺); Xi K(习凯); Li J(李金); Ji LL(季兰龙); Liu M(刘明)
	2017-05-23
文献子类	会议论文
内容类型	会议论文
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/18281]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	Zhang HH,Bi JS,Xi K,et al. Single-Event-Effects Induced by Heavy Ion and Pulsed Laser on 16Mb Magneto-resistive Random Access Memory[C]. 见:.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。