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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 高K/金属栅器件的正栅压温度不稳定特性（PBTI）及对覆盖层氮化钛的依赖性研究 学位论文 : 中国科学院大学, 2016 作者:  祁路伟 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/08/29 Influence of ultra-thin TiN thickness (1.4 nm and 2.4 nm) on positive bias temperature instability (PBTI) of high-k/metal gate nMOSFETs with gate-last process 期刊论文 Chinese Physics B, 2015 作者:  Qi LW(祁路伟);  Wang WW(王文武) 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2016/10/28 Influence of ultra-thin TiN thickness (1.4 nm and 2.4 nm) on positive bias temperature instability (PBTI) of high-k/metal gate nMOSFETs with gate-last process 期刊论文 Chinese Physics B, 2015 作者:  Qi LW(祁路伟);  Wang WW(王文武) 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2016/05/31