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| 基于多晶硅薄膜技术的IBC太阳电池和硅漂移探测器的研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2019
作者: 姜帅
  收藏 | 浏览/下载：33/0 | 提交时间：2019/09/05 |
| 集成纳米结构的薄膜型MOS 气体传感器 专利
专利号: CN201620179891.6, 申请日期: 2016-10-12,
作者: 陈大鹏 ; 明安杰
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2017/05/26 |
| X射线有源像素探测器电路及其低温多晶硅薄膜晶体管设计 学位论文
: 中国科学院大学, 2016
作者: 杨君
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2017/08/29 |
| 后栅工艺移除多晶硅假栅制程的监控方法 专利
专利号: CN201110149722.X, 申请日期: 2015-12-09, 公开日期: 2012-12-05
作者: 杨涛; 赵超; 李俊峰; 闫江; 陈大鹏
收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2016/09/18 |
| 一种电荷俘获非挥发存储器的制造方法 专利
专利号: CN201110138464.5, 申请日期: 2014-07-23, 公开日期: 2012-11-28
作者: 谢常青; 王晨杰; 霍宗亮; 刘明; 张满红
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2016/04/14 |
| 非挥发性半导体存储单元、器件及制备方法 专利
专利号: CN201010527589.2, 申请日期: 2014-03-12, 公开日期: 2012-05-16
作者: 张满红; 刘明; 霍宗亮
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2015/05/14 |
| 一种高K金属栅结构的刻蚀方法 专利
专利号: CN101620997, 申请日期: 2009-07-24, 公开日期: 2010-01-06, 2010-11-26
作者: 董立军
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2010/11/26 |
| 基于真空粘合工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法 专利
专利号: CN200510012238.7, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2007-01-24
作者: 陈大鹏; 叶甜春; 欧毅; 石莎莉
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| 基于新牺牲层工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法 专利
专利号: CN200510012239.1, 申请日期: 2008-02-13, 公开日期: 2007-01-24
作者: 欧毅; 石莎莉; 陈大鹏; 叶甜春
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2010/11/26 |
| LDD工艺参数对多晶硅薄膜晶体管KINK效应的影响 期刊论文
液晶与显示, 2008, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 5，173-177
作者: 丁磊; 许剑; 韩郑生; 梅沁; 钟传杰
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2010/05/27
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