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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 半导体器件制造方法 专利 专利号: CN201510514552.9, 申请日期: 2018-05-15, 公开日期: 2016-01-06 作者:  叶甜春 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/03/12 降低HEMT器件栅槽刻蚀损伤的方法 专利 专利号: CN201110340567.X, 申请日期: 2013-08-14, 公开日期: 2012-02-01 作者:  樊捷;  魏珂;  刘果果;  黄俊;  刘新宇 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/11/20 SCDI结构快闪存储器件Ⅱ：实验与器件特性 期刊论文 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 5, 页码: 497-501 作者:  欧文;  钱鹤 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/05/26 Scdi器件  快闪存储器  编程速度  工艺优化  关键技术