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| 碳化硅功率MOSFET的工作状态对电离辐射损伤特性的影响研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2021 作者: 杨圣
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| 一种抗辐射加固SOI材料的总剂量辐射性能评估方法 专利 申请日期: 2021-02-19, 作者: 郑齐文; 崔江维; 余学峰; 李豫东; 郭旗
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2021/12/02 |
| 模拟数字转换器AD574总剂量和单粒子翻转的协合效应 期刊论文 辐射研究与辐射工艺学报, 2021, 卷号: 39, 期号: 4, 页码: 93-98 作者: 相传峰1,2,3; 姚帅2,3,4; 于新2,3; 李小龙2,3; 陆妩1,2,3
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| 背照式CMOS图像传感器的累积辐射效应研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者: 张翔
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:21/0  |  提交时间:2020/11/19
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| 稀氮(Ga(In)AsN)材料的位移损伤效应研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者: 雷琪琪
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:32/0  |  提交时间:2020/11/19
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| 一种基于阈值电压类型匹配的6-T存储单元抗总剂量加固方法 专利 申请日期: 2020-04-14, 作者: 郑齐文; 崔江维; 余学峰; 陆妩; 孙静
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/11/25 |
| 电离总剂量效应对4T CMOS图像传感器暗电流影响的数值仿真 期刊论文 数值计算与计算机应用, 2020, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 143-150 作者: 魏莹; 文林; 李豫东; 郭旗
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2020/09/07
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| CMOS图像传感器单粒子效应及加固技术研究进展 期刊论文 核技术, 2020, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 50-58 作者: 蔡毓龙; 李豫东; 文林; 郭旗
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| 130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019 作者: 席善学
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2019/07/15
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| 辐射对HgCdTe红外器件暗电流特性的影响研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019 作者: 王志铭
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2019/07/15
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