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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Polymer/porous GaN bulk heterojunction and its optoelectronic property 期刊论文 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2014, 卷号: 314, 期号: 0, 页码: 464-467 作者:  Pan GB(潘革波);  Wang FX(王凤霞) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2014/12/01 Porous gallium nitride  Poly(3-hexylthiophene  Heterojunction  Electrical properties   Capping effect of GaAsSb and InGaAsSb on the structural and optical properties of type II GaSb/GaAs quantum dots 期刊论文 Appl. Phys. Lett., 2012, 卷号: 100, 期号: 17 作者:  Jinping Zhang（张锦平） 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/01/22 The fabrication of GaN-based nanopillar light-emitting diodes 期刊论文 Journal of Applied Physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 7 作者:  Yang H (杨辉);  Zhang SM (张书明) 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2011/03/11 Mechanism on Effect of Surface Plasmons Coupling with InGaN/GaN Quantum Wells: Enhancement and Suppression of Photoluminescence Intensity 期刊论文 Applied Physics Express, 2010, 期号: 7 作者:  Wang JF (王建峰);  Yang H (杨辉);  Xu K (徐科) 收藏  |  浏览/下载：206/61  |  提交时间：2010/12/13 The investigation on strain relaxation and double peaks in photoluminescence of InGaN/GaN MQW layers 期刊论文 Journal of Physics D-Applied Physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 23 作者:  Yang H (杨辉);  Qiu YX (邱永鑫);  Zhang SM (张书明) 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2011/03/14 Fabrication and optical characterization of GaN-based nanopillar light emitting diodes 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 3485-3488 作者:  Zhang SM;  Yang H(杨辉);  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/01/15