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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Optically Powered ZnO Nanowires with Symmetric and Asymmetric Contacts 期刊论文 JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2013, 卷号: 13, 期号: 2, 页码: 1203 Zhang, LH; Zhang, XX; Lai, JL; Liu, Z; Hou, SM; Xie, SS; Gao, M 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2014/01/16 ZnO Nanowire  Photovoltage  Photocurrent  Position Sensitivity  Schottky Barrier   Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 卷号: 109, 期号: 7 Lv, YJ; Lin, ZJ; Corrigan, TD; Zhao, JZ; Cao, ZF; Meng, LG; Luan, CB; Wang, ZG; Chen, H 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/09/17 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  GAN  DEPENDENCE  CONTACTS  STATES  NI   Evaluating AlGaN/AlN/GaN heterostructure Schottky barrier heights with flat-band voltage from forward current-voltage characteristics 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 99, 期号: 12 Lv, YJ; Lin, ZJ; Meng, LG; Yu, YX; Luan, CB; Cao, ZF; Chen, H; Sun, BQ; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/09/17 Growth and luminescence properties of a novel crystal with large birefringence: ErBa3B9O18 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2009, 卷号: 311, 期号: 4, 页码: 1234 He, M; Cai, GM; Wang, WJ; Wang, WY; Liu, J; Chen, XL 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/09/17 BROAD-BAND AMPLIFICATION  BORATES MM'(4)(BO3)(3) M  RELATIVE PROPERTIES  NA  SR  TB  EU  GD  M'  ER   Resistive switching properties in oxygen-deficient Pr0.7Ca0.3MnO3 junctions with active Al top electrodes 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 105, 期号: 3 Li, SL; Shang, DS; Li, J; Gang, JL; Zheng, DN 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/09/24 THIN-FILMS  WORK FUNCTION  RESISTANCE  MEMORY  SRTIO3   Ce/GaN(0001) interfacial formation and electronic properties 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2004, 卷号: 95, 期号: 3, 页码: 943 Xiao, WD; Guo, QL; Wang, EG 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/09/17 METAL-SEMICONDUCTOR INTERFACE  WURTZITE GAN SURFACES  SCHOTTKY CONTACTS  BARRIER HEIGHTS  GROWTH  FILMS  GAN(0001)-(1X1)  SI(111)  STATES  CE   Gd on GaN(0001) surface: Growth, interaction, and Fermi level movement 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2003, 卷号: 94, 期号: 8, 页码: 4847 Xiao, WD; Guo, QL; Xue, QK; Wang, EG 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/09/17 WURTZITE GAN SURFACES  ELECTRONIC-PROPERTIES  SCHOTTKY CONTACTS  BARRIER HEIGHTS  INTERFACE  FILMS  OXYGEN  STATES