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物理研究所 [3]
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期刊论文 [3]
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2005 [1]
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Alloy compositional fluctuation in InAlGaN epitaxial films
期刊论文
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2005, 卷号: 80, 期号: 3, 页码: 649
Li, DB
;
Dong, X
;
Huang, J
;
Liu, X
;
Xu, Z
;
Zhang, Z
;
Wang, Z
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2013/09/17
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
ALINGAN/GAN HETEROSTRUCTURES
OPTICAL-PROPERTIES
QUATERNARY ALLOYS
MOLECULAR-BEAM
GROWTH
INXALYGA1-X-YN
Structural and optical properties of InAlGaN films grown directly on low-temperature buffer layer with (0001)sapphire substrate
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 249, 期号: 1-2, 页码: 72
Li, DB
;
Dong, X
;
Huang, JS
;
Liu, XL
;
Xu, ZY
;
Wang, XH
;
Zhang, Z
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2013/09/24
INXALYGA1-X-YN QUATERNARY ALLOYS
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
ALINGAN/GAN HETEROSTRUCTURES
GAN
DECAY
LUMINESCENCE
SAPPHIRE
DEVICES
SILICON
Ultra-high-density Ge quantum dots on insulator prepared by high-vacuum electron-beam evaporation
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 249, 期号: 1-2, 页码: 23
Wan, Q
;
Wang, TH
;
Liu, WL
;
Lin, CL
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2013/09/23
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SILICON NANOCRYSTALS
SI NANOCRYSTALS
MATRIX
PHOTOLUMINESCENCE
SIO2-FILMS
GROWTH
LUMINESCENCE
FABRICATION
SI(001)
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