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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates 期刊论文 MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2003, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 215 Dong, HW; Zhao, YW; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/09/17 SI+-IMPLANTATION  PHOSPHIDE VAPOR  UNDOPED INP  FE  WAFERS  UNIFORMITY  PRESSURE   Electron-hole competition in photorefractive Rb doped KNbO3 期刊论文 OPTICS COMMUNICATIONS, 1997, 卷号: 142, 期号: 4-6, 页码: 279 Zhang, ZG; Ding, Y; Eichler, HJ; Fu, PM; Shen, DZ; Ma, XY; Chen, JY 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/09/17 BI12SIO20 CRYSTALS  INP-FE  TRANSPORT  CENTERS  MEDIA  GAIN   X-RAY-SCATTERING FROM A ROUGH-SURFACE AND DAMAGED LAYER OF POLISHED WAFERS 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 1994, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1929 LI, M; MAI, ZH; CUI, SF; LI, JH; GU, YS; WANG, YT; ZHUANG, Y 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/09/23