中国开放科研知识云: 检索

验证码:

换一张

忘记密码？记住我

取消登录

CORC

首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务

在结果中检索

科研机构

物理研究所 [14]

内容类型

期刊论文 [14]

发表日期

知识图谱

CORC

已提交作品

待认领作品

已认领作品

未提交全文

浏览/检索结果: 共14条，第1-10条

帮助

限定条件	专题：物理研究所第一署名单位第一作者单位通讯作者单位

已选(0)清除条数/页：排序方式：
	Improvement of Breakdown Characteristics of a GaN HEMT with AlGaN Buffer Layer 期刊论文 JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2012, 卷号: 41, 期号: 3, 页码: 471 Chen, Y; Jiang, Y; Xu, PQ; Ma, ZG; Wang, XL; He, T; Peng, MZ; Luo, WJ; Liu, XY; Wang, L; Jia, HQ; Chen, H 收藏 \| 浏览/下载：28/0 \| 提交时间：2013/09/17 ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS SURFACE PASSIVATION HETEROSTRUCTURES SAPPHIRE LEAKAGE GROWTH
	Micro-Raman spectroscopy observation of field-induced strain relaxation in AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors 期刊论文 PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2012, 卷号: 209, 期号: 6, 页码: 1174 Dun, SB; Jiang, Y; Li, JQ; Fang, YL; Yin, JY; Liu, B; Wang, JJ; Chen, H; Feng, ZH; Cai, SJ 收藏 \| 浏览/下载：22/0 \| 提交时间：2013/09/18 PIEZOELECTRIC POLARIZATION ELECTRON GAN HETEROSTRUCTURES SIMULATION DEFECTS
	Stress Control in GaN Grown on 6H-SiC by Metalorganic Chemical Vapor Deposition 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 28, 期号: 4 Chen, Y; Jiang, Y; Xu, PQ; Ma, ZG; Wang, XL; Wang, L; Jia, HQ; Chen, H 收藏 \| 浏览/下载：17/0 \| 提交时间：2013/09/24 PHONON DEFORMATION POTENTIALS OPTICAL-PROPERTIES RAMAN-SCATTERING GALLIUM NITRIDE BUFFER LAYERS STRAIN ALN FILMS HETEROSTRUCTURES PHOTOLUMINESCENCE
	Influence of thermal stress on the characteristic parameters of AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 4 Lu, YJ; Lin, ZJ; Zhang, Y; Meng, LG; Cao, ZF; Luan, CB; Chen, H; Wang, ZG 收藏 \| 浏览/下载：15/0 \| 提交时间：2013/09/17 FIELD-EFFECT TRANSISTORS POLARIZATION STABILITY CHARGE GAN
	Influence of thermal stress on the relative permittivity of the AlGaN barrier layer in an AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 9 Lu, YJ; Lin, ZJ; Zhang, Y; Meng, LG; Cao, ZF; Luan, CB; Chen, H; Wang, ZG 收藏 \| 浏览/下载：16/0 \| 提交时间：2013/09/18 FIELD-EFFECT TRANSISTORS
	Polarization Coulomb field scattering in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 98, 期号: 12 Lv, YJ; Lin, ZJ; Zhang, Y; Meng, LG; Luan, CB; Cao, ZF; Chen, H; Wang, ZG 收藏 \| 浏览/下载：21/0 \| 提交时间：2013/09/24 2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS INTERFACIAL LAYER MOBILITY
	Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 卷号: 109, 期号: 7 Lv, YJ; Lin, ZJ; Corrigan, TD; Zhao, JZ; Cao, ZF; Meng, LG; Luan, CB; Wang, ZG; Chen, H 收藏 \| 浏览/下载：15/0 \| 提交时间：2013/09/17 FIELD-EFFECT TRANSISTORS GAN DEPENDENCE CONTACTS STATES NI
	Grain boundary resistivities of polycrystalline Au films 期刊论文 EPL, 2011, 卷号: 96, 期号: 1 Zhang, X; Song, XH; Zhang, XG; Zhang, DL 收藏 \| 浏览/下载：20/0 \| 提交时间：2013/09/17 GOLD-FILMS ELECTRICAL-RESISTIVITY CONDUCTIVITY TEMPERATURE RESISTANCE METALS SIZE
	Characterization of different-Al-content AlGaN/GaN heterostructures on sapphire 期刊论文 SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2010, 卷号: 53, 期号: 1, 页码: 49 Ding, GJ; Guo, LW; Xing, ZG; Chen, Y; Xu, PQ; Jia, HQ; Zhou, JM; Chen, H 收藏 \| 浏览/下载：19/0 \| 提交时间：2013/09/17 FIELD-EFFECT TRANSISTORS ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION OPTICAL-PROPERTIES INDUCED CHARGE POLARIZATION GAN EPITAXY
	Growth and character stics of AlGaN/GaN HEMT structures with AlN/GaN superlattices as barrier layers 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2010, 卷号: 59, 期号: 8, 页码: 5724 Ding, GJ; Guo, LW; Xing, ZG; Chen, Y; Xu, PQ; Jia, HQ; Zhou, JM; Chen, H 收藏 \| 浏览/下载：23/0 \| 提交时间：2013/09/17 2-DIMENSIONAL ELECTRON GASES MOLECULAR-BEAM EPITAXY CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION PIEZOELECTRIC POLARIZATION ALN/ALGAN SUPERLATTICES GA-FACE HETEROSTRUCTURES MOBILITY SAPPHIRE CHARGES

相关链接
欧盟学术资源开放存取平台
CALIS高校机构知识库
台湾学术机构典藏
香港机构知识库整合系统
中国科学院机构知识库网格系统

CORC
关于我们
服务条款
隐私条款

联系我们
0931-8270076
cspace@llas.ac.cn
China-OR

中文简体

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace