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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Probing nanoscale oxygen ion motion in memristive systems 期刊论文 NATURE COMMUNICATIONS, 2017 Yang, Yuchao; Zhang, Xiaoxian; Qin, Liang; Zeng, Qibin; Qiu, Xiaohui; Huang, Ru 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/12/03 RESISTIVE SWITCHING MEMORIES  IN-SITU OBSERVATION  FORCE MICROSCOPY  GRAPHENE  DEVICES  OXIDE  NANOFILAMENT  FILAMENTARY  SRTIO3  LAYER   Direct Observations of Nanofilament Evolution in Switching Processes in HfO2-Based Resistive Random Access Memory by In Situ TEM Studies 期刊论文 ADVANCED MATERIALS, 2017 Li, Chao; Gao, Bin; Yao, Yuan; Guan, Xiangxiang; Shen, Xi; Wang, Yanguo; Huang, Peng; Liu, Lifeng; Liu, Xiaoyan; Li, Junjie; Gu, Changzhi; Kang, Jinfeng; Yu, Richeng 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 ELECTROLYTE-BASED RERAM  CONDUCTIVE FILAMENTS  MEMRISTOR  RRAM  HOLOGRAPHY  OPERATIONS  RESISTANCE  CHANNELS  DEVICES  MODEL   Progress in the Characterizations and Understanding of Conducting Filaments in Resistive Switching Devices 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, 2016 Yang, Yuchao; Lu, Wei D. 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/12/03 Conducting filament  dynamics  electrochemical reactions  metal nanoclusters  structure  ELECTROCHEMICAL METALLIZATION MEMORY  RESISTANCE-CHANGE MEMORY  ELECTROLYTE-BASED RERAM  SOLID-ELECTROLYTE  BOTTOM ELECTRODE  THIN-FILMS  OXIDE  MEMRISTOR  GROWTH  NANOFILAMENT