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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 双极器件中硅基区和锗硅基区的禁带变窄量 期刊论文 半导体学报, 2001 金海岩; 张利春 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/10/23 双极晶体管  锗硅基区  禁带变窄量   温度,Ge含量和掺杂浓度对Si1-xGex 期刊论文 半导体学报, 2001 金海岩; 张利春 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/12 锗硅材料  禁带变窄量  费米能级  简并半导体   Band gap narrowing of strained Si1-xGex as a function of Ge fraction, temperature and impurity concentration 期刊论文 pan tao ti hsueh paochinese journal of semiconductors, 2001 Jin, Hai-Yan; Zhang, Li-Chun 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/17