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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：厦门大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 InGaN太阳能电池的制备及特性研究 学位论文 2013, 2013 雷廷平 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2014/04/08 InGaN  Solar cell  Homojunction (HOJ)  Heterojunction (HEJ)  High In content  InGaN  太阳能电池  同质结（HOJ）  异质结（HEJ）  高In组分   AlGaN掺杂量子阱设计和外延生长 学位论文 2012, 2012 倪建超 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2016/02/14 LED  量子阱  MOVPE  III-V 族氮化物半导体  第一性原理  LED  Quantum Well  MOVPE  III-V Nitirde  First-Principle   提高GaN基LED发光效率的研究 学位论文 2011, 2010 朱丽虹 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2013/07/17 GaN基LED  GaN-based LED  蒙托卡罗方法  Monte Carlo photon-raytracing method  MOCVD  MOCVD  InGaN/GaN 多量子阱  InGaN/GaN MQW  欧姆接触  ohmic contact  侧向外延过生长  LEO technique  极化效应  polarization effect.  内量子效率。   Electronic and magnetic properties of 3d transition-metal-doped II-IV-V-2 chalcopyrite semiconductor 期刊论文 2005 Zeng, Y. Z.; Huang, M. C.; 黄美纯 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12 III-V SEMICONDUCTORS  CURIE TEMPERATURES  AB-INITIO  1ST PRINCIPLES  FERROMAGNETISM  SPINTRONICS  ENERGY   黄铜矿半导体DMS的第一原理计算 期刊论文 2005 曾永志; 黄美纯 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2011/06/16 稀磁半导体（DMS）  过渡金属  双交换作用  dilute magnetic semiconductor （DMS）  transition metal  double exchange   Electronic and magnetic properties of 3d transition-metal-doped III-V magnetic semiconductor 期刊论文 2004 Zeng, Y. Z.; Huang, M. C.; 黄美纯 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12 CURIE-TEMPERATURE  1ST PRINCIPLES  SPINTRONICS  PSEUDOPOTENTIALS  FERROMAGNETISM   GaAsN混晶的光学性质研究 学位论文 2004, 2004 林顺勇 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2016/02/14 III-V半导体  光致发光  喇曼散射  III-V semiconductor  photoluminescence  Raman scattering