×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [86]
上海微系统与信息技... [12]
物理研究所 [6]
四川大学 [4]
厦门大学 [3]
北京大学 [3]
更多...
内容类型
期刊论文 [130]
发表日期
2018 [4]
2008 [3]
2006 [6]
2005 [4]
2004 [7]
2002 [3]
更多...
学科主题
半导体材料 [29]
半导体物理 [24]
半导体器件 [6]
光电子学 [4]
半导体化学 [1]
微电子学 [1]
更多...
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共130条,第1-10条
帮助
限定条件
内容类型:期刊论文
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Investigation of the distribution of deep levels in 4H-SiC epitaxial wafer by DLTS with the method of decussate sampling
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2020, 卷号: 531, 页码: 125352
作者:
Yawei He
;
Guoguo Yan
;
Zhanwei Shen
;
Wanshun Zhao
;
Lei Wang
;
Xingfang Liu
;
Guosheng Sun
;
Feng Zhang
;
Yiping Zeng
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2021/12/20
Study of γ-ray irradiation influence on TiN/HfO 2 /Si MOS capacitor by C-V and DLTS
期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2018
作者:
Yun Li
;
Yao Ma
;
Wei Lin
;
Peng Dong
;
zhimei Yang
收藏
  |  
浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2019/04/18
Study of gamma-ray irradiation influence on TiN/HfO2/Si MOS capacitor by C-V and DLTS
期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: Vol.120, 页码: 313-318
作者:
Li, Yun
;
Ma, Yao
;
Lin, Wei
;
Dong, Peng
;
Yang, Zhimei
收藏
  |  
浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2019/02/25
TiN/HfO2/Si MOS capacitor
gamma-ray irradiation
Oxide trapped and interface trapped
C-V
DLTS
Study of gamma-ray irradiation influence on TiN/HfO2/Si MOS capacitor by C-V and DLTS
期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018, 卷号: Vol.120, 页码: 313-318
作者:
Li, Yun
;
Ma, Yao
;
Lin, Wei
;
Dong, Peng
;
Yang, Zhimei
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2019/12/26
TiN/HfO2/Si
MOS
capacitor
gamma-ray
irradiation
Oxide
trapped
and
interface
trapped
C-V
DLTS
MOVPE-Growth of InGaSb/AlP/GaP(001) Quantum Dots for Nanoscale Memory Applications
期刊论文
Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics, 2018, 卷号: 255, 期号: 12, 页码: 7
作者:
Sala, E. M.
;
Arikan, I. F.
;
Bonato, L.
;
Bertram, F.
;
Veit, P.
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2019/09/17
AlP barrier
GaP
InGaSb
MOVPE growth
nanoscale memory
quantum dots
hole localization
ohmic contacts
luminescence
resistance
Physics
Identifying defect energy levels using dlts under different electron irradiation conditions
期刊论文
Nuclear science and techniques, 2017, 卷号: 28, 期号: 12, 页码: 7
作者:
Guo, Chun-Sheng
;
Wang, Ruo-Min
;
Zhang, Yu-Wei
;
Pei, Guo-Xi
;
Feng, Shi-Wei
收藏
  |  
浏览/下载:34/0
  |  
提交时间:2019/04/23
Electron irradiation
Deep level transient spectroscopy (dlts)
Minority carrier life time
Silicon diode
AlGaN/GaN 功率器件缓冲层陷阱的分析方法
期刊论文
半导体技术, 2016
邓小社
;
梁亚楠
;
贾利芳
;
樊中朝
;
何志
;
张韵
;
张大成
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2017/12/03
AlGaN/GaN
缓冲层
陷阱能级
电容瞬态测试
电流瞬态测试
Characterization of InGaN by Means of I-V Measurements of Respective Light-Emitting Diode (LED) by DLTS
期刊论文
ARABIAN JOURNAL FOR SCIENCE AND ENGINEERING, 2015, 卷号: 40, 页码: 263-268
作者:
Asghar, H. M. Noor ul Huda Khan
;
Gilani, Zaheer Abbas
;
Awan, M. S.
;
Ahmad, I.
;
Tan, Yi
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2019/12/09
Semiconducting indium gallium nitride materials
I-V characteristics
Deep-level transient spectroscopy ( DLTS) of the material
Light-emitting diode
The Si Nanocrystal Trap Center Studied by Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS)
期刊论文
Journal of Nanomaterials, 2014, 卷号: Vol.2014
作者:
Lv, TZ
;
Zhao, LL
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2019/12/31
Influence of electric field on persistent photoconductivity in unintentionally doped n-type GaN
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: article no.102104
作者:
Deng QW
收藏
  |  
浏览/下载:47/5
  |  
提交时间:2011/07/05
QUANTUM-WELL-STRUCTURE
ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURE
YELLOW LUMINESCENCE
DEEP LEVELS
TRAP
PERFORMANCE
FREQUENCY
EPILAYERS
ORIGIN
DIODES
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace