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半导体研究所 [27]
内容类型
期刊论文 [27]
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内容类型:期刊论文
专题:半导体研究所
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Formation trends of ordered self-assembled nanoislands on stepped substrates
期刊论文
Journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 7, 页码: 5
作者:
Liang, S.
;
Zhu, H. L.
;
Kong, D. H.
;
Wang, W.
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/05/12
Formation trends of ordered self-assembled nanoislands on stepped substrates
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 7, 页码: art. no. 073512
Liang S (Liang S.)
;
Zhu HL (Zhu H. L.)
;
Kong DH (Kong D. H.)
;
Wang W (Wang W.)
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/14
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
INAS QUANTUM DOTS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS
SURFACES
ISLANDS
GROWTH
FABRICATION
MIGRATION
ARRAYS
Size distributions of quantum islands on stepped substrates
期刊论文
Journal of chemical physics, 2009, 卷号: 131, 期号: 15, 页码: 5
作者:
Liang, S.
;
Zhu, H. L.
;
Wang, W.
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/05/12
Shape stability of inas self-assembled islands on vicinal gaas(001) substrates
期刊论文
Chemical physics letters, 2009, 卷号: 468, 期号: 4-6, 页码: 249-252
作者:
Liang, S.
;
Zhu, H. L.
;
Wang, W.
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Size distributions of quantum islands on stepped substrates
期刊论文
journal of chemical physics, 2009, 卷号: 131, 期号: 15, 页码: art.no.154704
Liang S (Liang, S.)
;
Zhu HL (Zhu, H. L.)
;
Wang W (Wang, W.)
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浏览/下载:305/92
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Kinetically controlled InN nucleation on GaN templates by metalorganic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 14, 页码: art. no. 145410
作者:
Zhang SM
;
Yang H
;
Yang H
;
Wang YT
;
Zhu JJ
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浏览/下载:72/0
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE EPITAXY
QUANTUM DOTS
BAND-GAP
GROWTH
SURFACES
Shape stability of InAs self-assembled islands on vicinal GaAs(001) substrates
期刊论文
chemical physics letters, 2009, 卷号: 468, 期号: 4-6, 页码: 249-252
作者:
Liang S
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浏览/下载:120/25
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提交时间:2010/03/08
QUANTUM-DOTS
TRANSITION
GAAS(100)
GROWTH
GAAS
The influence of growth temperature and input V/III ratio on the initial nucleation and material properties of InN on GaN by MOCVD
期刊论文
semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: art. no. 055001
作者:
Yang H
;
Jiang DS
;
Zhao DG
;
Zhang SM
;
Yang H
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浏览/下载:89/41
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ELECTRON-TRANSPORT
BAND-GAP
FILMS
SAPPHIRE
Small sige quantum dots obtained by excimer laser annealing
期刊论文
Journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 16, 页码: 3746-3751
作者:
Han, Genquan
;
Zeng, Yugang
;
Liu, Yan
;
Yu, Jinzhong
;
Cheng, Buwen
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2019/05/12
Diffusion
Atomic force microscopy
Germanium silicon alloys
High-density and narrow size-distribution inas quantum dots formed by a modified two-step growth
期刊论文
Chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 1, 页码: 323-327
作者:
She-Song, Huang
;
Zhi-Chuan, Niu
;
Feng, Zhan
;
Hai-Qiao, Ni
;
Huan, Zhao
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/05/12
Molecular beam epitaxy
Quantum dots
A modified two-step growth
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