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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文    专题：湖南大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Online junction temperature estimation method for SiC modules with built-in NTC sensor 期刊论文 CPSS Transactions on Power Electronics and Applications, 2019, 卷号: Vol.4 No.1, 页码: 94-99 作者:  Ping Liu;  Changle Chen;  Xing Zhang;  Shoudao Huang 收藏  |  浏览/下载：101/0  |  提交时间：2019/12/13 Silicon carbide  Junctions  MOSFET  Temperature sensors  Impedance  Heating systems  Mathematical model  Boundary conditions  junction temperature  silicon carbide (SiC)  thermal model.   Carrier-Based Double Integral Sliding-Mode Controller of Class-D Amplifier 期刊论文 IEEE Access, 2019, 卷号: Vol.7, 页码: 1275-1283 作者:  Xiaohua Wu;  Haider Zaman;  Xiancheng Zheng;  Shahbaz Khan;  Husan Ali 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/13 Mathematical  model  Frequency  response  Q-factor  Control  systems  Switching  frequency  Silicon  carbide  Voltage  control  Carrier-based  double  integral  sliding-mode  (CBDISM)  class-D  amplifier  Q-factor  SiC  MOSFET   Short-Circuit Ruggedness and Failure Mechanisms of Si/SiC Hybrid Switch 期刊论文 IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: Vol.34 No.3, 页码: 2771-2780 作者:  Jun Wang;  Xi Jiang;  Zongjian Li;  Z. John Shen 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/13 MOSFET  Silicon carbide  Logic gates  Insulated gate bipolar transistors  Switches  Leakage currents  Silicon  Failure analysis  gate control  hybrid switch (HyS)  IGBT  short-circuit (SC)  Silicon Carbide (SiC) $\scriptscriptstyle{\text{MOSFET}}$   Gate Control Optimization of Si/SiC Hybrid Switch for Junction Temperature Balance and Power Loss Reduction 期刊论文 IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: Vol.34 No.2, 页码: 1744-1754 作者:  Jun Wang;  Zongjian Li;  Xi Jiang;  Cheng Zeng;  Z. John Shen 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/13 Switches  Insulated  gate  bipolar  transistors  Silicon  carbide  MOSFET  Logic  gates  Silicon  Gate  control  hybrid  switch  IGBT  junction  temperature  mosfet  power  loss  SiC   Gate Control Optimization of Si/SiC Hybrid Switch for Junction Temperature Balance and Power Loss Reduction 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS, 2019, 卷号: Vol.34 No.2, 页码: 1744-1754 作者:  Wang, J;  Li, ZJ;  Jiang, X;  Zeng, C;  Shen, ZJ 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/17 Gate control  hybrid switch  IGBT  junction temperature  MOSFET  power loss  SiC   Short-Circuit Ruggedness and Failure Mechanisms of Si/SiC Hybrid Switch 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS, 2019, 卷号: Vol.34 No.3, 页码: 2771-2780 作者:  Wang, J;  Jiang, X;  Li, ZJ;  Shen, ZJ 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/17 Failure analysis  gate control  hybrid switch (HyS)  IGBT  short-circuit (SC)  Silicon Carbide (SiC) MOSFET   Failure modes and mechanism analysis of SiC MOSFET under short-circuit conditions 期刊论文 Microelectronics Reliability, 2018, 卷号: Vol.88-90, 页码: 593-597 作者:  Xi Jiang;  Jun Wang;  Jiwu Lu;  Jianjun Chen;  Xin Yang 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/26 SiC MOSFET  Short-circuit  Failure analysis   Gate Control Optimization of Si/SiC Hybrid Switch for Junction Temperature Balance and Power Loss Reduction 期刊论文 IEEE Transactions on Power Electronics, 2018, 页码: 1 作者:  Jun Wang;  Zongjian Li;  Xi Jiang;  Cheng Zeng;  John Shen GAE 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26 Switches  Insulated  gate  bipolar  transistors  Silicon  carbide  MOSFET  Logic  gates  Silicon  Hybrid  switch  SiC  MOSFET  IGBT  gate  control  power  loss  junction  temperature