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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文    专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 8T CMOS图像传感器质子辐照效应研究（英文） 期刊论文 原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2128-2134 作者:  傅婧1,2,3;  李豫东1,2;  冯婕1,2;  文林1,2;  郭旗1,2 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2022/01/25 CMOS图像传感器  钳位光电二极管  质子辐照  电离总剂量  位移损伤剂量   γ辐照下4T CMOS有源像素传感器的满阱容量退化机理 期刊论文 现代应用物理, 2019, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 64-68 作者:  蔡毓龙;  李豫东;  郭旗;  文林;  周东 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/09 图像传感器  CMOS  满阱容量  电离总剂量效应   基于4晶体管像素结构的互补金属氧化物半导体图像传感器总剂量辐射效应研究 期刊论文 物理学报, 2016, 卷号: 65, 期号: 2 作者:  王帆;  李豫东;  郭旗;  汪波;  张兴尧;  文林;  何承发;  郭旗;  何承发;  李豫东 收藏  |  浏览/下载：98/0  |  提交时间：2016/03/01 互补金属氧化物半导体图像传感器  电离总剂量效应  钳位二极管  满阱容量