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苏州纳米技术与纳米仿... [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2014 [1]
2009 [2]
2008 [1]
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内容类型:期刊论文
专题:苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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Realization of InGaN laser diodes above 500 nm by growth optimization of the InGaN/GaN active region
期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2014, 卷号: 7, 期号: 11
作者:
Liu, JP (刘建平)
;
Zhang, SM (张书明)
;
Zhang, LQ (张立群)
;
Li, DY (李德尧)
;
Yang, H (杨辉)
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2015/02/03
GaN-based violet laser diodes grown on free-standing GaN substrate
期刊论文
Chinese Physics B, 2009, 卷号: 18, 期号: 12, 页码: 5350-5353
作者:
Zhang LQ
;
Yang H (杨辉)
;
Zhang SM
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2011/03/14
GaN laser diode
mounting configuration
active region temperature
Confinement factor and absorption loss of AlInGaN based laser diodes emitting from ultraviolet to green
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 105, 期号: 2
作者:
Zhang LQ
;
Yang H(杨辉)
;
Zhang LQ
;
Zhang SM
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/01/15
aluminium compounds
claddings
gallium compounds
III-V semiconductors
indium compounds
quantum well lasers
refractive index
waveguide lasers
Continuous-wave operation of GaN based multi-quantum-well laser diode at room temperature
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 1281-1283
作者:
Yang H(杨辉)
;
Zhang LQ
;
Ji L
;
Zhang LQ
;
Zhang SM
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/01/15
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