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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 内容类型：学位论文    专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 红外光电子材料碲镉汞的功能缺陷掺杂的第一性原理研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2005 作者:  孙立忠 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/07/11 光电子材料  碲镉汞  第一性原理  Lapw方法  Ppw方法  杂质  空位缺陷   异质衬底MBE HgCdTe过渡层及x射线衍射分析 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2004 作者:  王元樟 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/06/25 分子束外延  Znte  Cdte  晶向  均匀性  晶向倾角  孪晶  热应变   VO2薄膜的制备与特性研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2004 作者:  潘梅 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/06/25 Vo2薄膜  溶胶-凝胶法  第一性原理   几种光电子功能材料的第一性原理研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2004 作者:  郭旭光 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/06/25 密度泛函理论  钙钛矿型氧化物  质子注入  稀磁半导体