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Comparative studies of Ge and Si p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors with HfSiON dielectric and TaN metal gate 外文期刊
2010
作者:  Xu, QX;  Hu, AB
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/26
Finite-element study of strain field in strained-Si MOSFET 外文期刊
2009
作者:  Liu, HH;  Xu, QX;  Duan, XF
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Effect of Al-diffusion-induced positive flatband voltage shift on the electrical characteristics of Al-incorporated high-k metal-oxide-semiconductor field-effective transistor 外文期刊
2009
作者:  Toriumi, A;  Ota, H;  Nabatame, T;  Mizubayashi, W;  Akiyama, K
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/26
HIGH CURRENT, MULTI-FINGER InGaAs/InP HETEROSTRUCTURE BIPOLAR TRANSISTOR WITH f(t) OF 176GHz 外文期刊
2009
作者:  Cheng, W;  Jin, Z;  Qi, M;  Xu, AH;  Liu, XY
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/26
Study of top and bottom contact resistance in one organic field-effect transistor 外文期刊
2009
作者:  Liu, G;  Liu, M;  Wang, H;  Shang, LW
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/26
Low-Voltage Organic Field-Effect Transistor With PMMA/ZrO2 Bilayer Dielectric 外文期刊
2009
作者:  Shang, LW;  Tu, DY;  Liu, G;  Liu, XH;  Ji, ZY
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/26
Optimizing molecular orientation for high performance organic thin film transistors based on titanyl phthalocyanine 外文期刊
2009
作者:  Liu, G;  Wang, H;  Liu, XH;  Hu, WP;  Shang, LW
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/26
Common-base multi-finger submicron InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with f(max) of 305 GHz 外文期刊
2008
作者:  Jin, Z;  Su, Y;  Cheng, W;  Liu, X;  Xu, A
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/26
High current multi-finger InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with the maximum oscillation frequency 253 GHz 外文期刊
2008
作者:  Jin, Z;  Su, YB;  Cheng, W;  Liu, XY;  Xu, AH
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/26
High-breakdown-voltage submicron InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with f(t)=170 GHz and f(max)=253GHz 外文期刊
2008
作者:  Jin, Z;  Su, YB;  Cheng, W;  Liu, XY;  Xu, AH
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