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	Comparative studies of Ge and Si p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors with HfSiON dielectric and TaN metal gate
	Xu, QX; Hu, AB
	2010
内容类型	外文期刊
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/8992]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
推荐引用方式 GB/T 7714	Xu, QX,Hu, AB. Comparative studies of Ge and Si p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors with HfSiON dielectric and TaN metal gate. 2010.

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