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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 内容类型：外文期刊     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A metal/Al2O3/ZrO2/SiO2/Si (MAZOS) structure for high-performance non-volatile memory application 外文期刊 2010 作者:  Zhang, MH;  Liu, M;  Long, SB;  Wang, Q;  Liu, J 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/26 Floating-gate  Layer  Devices   Investigation of resistive switching in Cu-doped HfO2 thin film for multilevel non-volatile memory applications 外文期刊 2010 作者:  Liu, Q;  Wang, Y;  Liu, M;  Yang, JH;  Zuo, QY 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/26 Rram   Resistive Switching Properties of Au/ZrO2/Ag Structure for Low-Voltage Nonvolatile Memory Applications 外文期刊 2010 作者:  Liu, M;  Liu, S;  Liu, Q;  Zhang, MH;  Long, SB 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/26 Zro2   ZrO2-Based Memory Cell With a Self-Rectifying Effect for Crossbar WORM Memory Application 外文期刊 2010 作者:  Li, YT;  Long, SB;  Zuo, QY;  Shao, LB;  Wang, Q 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/26 Nonvolatile Memory  Diode  Antifuse  Device  Al2o3   Multilevel resistive switching with ionic and metallic filaments 外文期刊 2009 作者:  Liu, M;  Abid, Z;  Wang, W;  Liu, Q;  Guan, WH 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/26 Memory  Resistance  Films   Improvement of Resistive Switching Properties in ZrO2-Based ReRAM With Implanted Ti Ions 外文期刊 2009 作者:  Zuo, QY;  Liu, Q;  Long, SB;  Wang, W;  Zhang, S 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/26 Doped Zro2  Low-power  Memory  Oxide   Formation of multiple conductive filaments in the Cu/ZrO2:Cu/Pt device 外文期刊 2009 作者:  Chen, JN;  Zhang, MH;  Dou, CM;  Wang, Y;  Long, SB 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/26 Memory Application   Nonpolar nonvolatile resistive switching in Cu doped ZrO2 外文期刊 2008 作者:  Guan, WH;  Long, SB;  Liu, Q;  Liu, M;  Wang, W 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/26 Memory Applications  Films  Oxide   Organic thin-film transistor memory with gold nanocrystals embedded in polyimide gate dielectric 外文期刊 2008 作者:  Zhen, LJ;  Guan, WH;  Shang, LW;  Liu, M;  Liu, G 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/26 Field-effect Transistors  Device   Study on the dose rate upset effect of partially depleted silicon-on-insulator static random access memory 外文期刊 2008 作者:  Zhao, FZ;  Liu, MX;  Guo, TL;  Liu, G;  Hai, CH 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/26 Transient Radiation Upset  Cmos/sos Ram  Device  Environment