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科研机构
西安交通大学 [3]
内容类型
会议论文 [3]
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2018 [1]
2016 [2]
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Characterization of Transient Threshold Voltage Shifts in Enhancement-and Depletion-mode AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor (MIS)-HEMTs
会议论文
作者:
Cui, Miao
;
Cai, Yutao
;
Lam, Sang
;
Liu, Wen
;
Zhao, Chun
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/11/26
AlGaN/GaN MIS-HEMTs
Frequency dependence
Frequency independent
High-voltage switching
Metal-insulator-semiconductors
MIS-HEMT
Threshold voltage shifts
Voltage hysteresis
Realistic Trap Configuration Scheme With Fabrication Processes in Consideration for the Simulations of AlGaN/GaN MIS-HEMT Devices
会议论文
作者:
Sun, Ruize
;
Liang, Yung C.
;
Yeo, Yee-Chia
;
Wang, Yun-Hsiang
;
Zhao, Cezhou
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  |  
提交时间:2019/12/02
GaN HEMT simulations
AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron mobility transistor (MIS-HEMT)
interfacial traps
Design of DC-DC Buck Converter with Integrated Over-current Protect ion based on Power AlGaN/GaN MIS-HEMT Configuration
会议论文
作者:
Sun, Ruize
;
Liang, Yung C.
;
Yeo, Yee-Chia
;
Wang, Yun-Hsiang
;
Zhao, Cezhou
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提交时间:2019/11/26
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