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Surface Engineering of Micro/nano Systems for Novel Optical Applications
会议论文
optofluidics2015, Taipei, China
作者:
Tianzhun Wu
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2016/01/27
p-GaN/p-graded-AlxGa1-xN/n-ZnO发光二极管的电致发光
会议论文
第五届全国ZnO学术会议论文集
作者:
申人升
;
梁红伟
;
柳阳
;
夏晓川
;
杜国同
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/18
尺寸分布均匀的ZnO纳米晶粒的实验和理论拉曼光谱研究——极性纳米半导体光学振动模不存在尺寸限制效应
会议论文
第十四届全国光散射学术会议论文摘要集, 第十四届全国光散射学术会议, 中国北京, CNKI, 中国物理学会光散射专业委员会
张树霖
;
蒋建中
;
林勇
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浏览/下载:2/0
Deposition of ZnO thin films on GaN substrates
会议论文
作者:
Fu, Q. M.
;
Peng, T.
;
Liu, C.
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/05
ZnO
GaN
electron-beam evaporation
molecular-beam epitaxy
Ultraviolet electroluminescence of ZnO based heterojunction light emitting diode (EI CONFERENCE)
会议论文
12th International Conference on II-VI Compounds, September 12, 2005 - September 16, 2005, Warsaw, Poland
Jiao S. J.
;
Lu Y. M.
;
Shen D. Z.
;
Zhang Z. Z.
;
Li B. H.
;
Zhang J. Y.
;
Yao B.
;
Liu Y. C.
;
Fan X. W.
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/03/25
ZnO/GaN p-i-n heterojunctions light emitting diodes were fabricated by plasma-assisted molecular beam epitaxy. We make use of high resistivity of nitrogen doped ZnO to fabricate n-ZnO/i-ZnO/p-GaN heterojunction light emitting diode. The emission of i-ZnO was obtained due to the limitation effect of i-ZnO on electrons and holes. Moreover
n-ZnO/i-MgO/p-GaN heterojunction light emitting diode was also fabricated. The limitation effect on electrons is increased in this heterojunction. The bright ultraviolet electroluminescence at 382 nm originating from the ZnO layer was observed in the room temperature electroluminescence spectrum. We hope to realize the stimulated emission of ZnO using these heterojunctions by the improvement of crystal quality and the optimization of device structure. 2006 WILEY-VCH Verlag GmbH Co. KGaA.
Synthesis of GaN nanorods with vertebra-like morphology
会议论文
ieee international conference of nano/micro engineered and molecular systems, zhuhai, peoples r china, jan 18-21, 2006
Gao, HY (Gao, Haiyong)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
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浏览/下载:112/30
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提交时间:2010/03/29
GaN nanorods
Ga2O3/ZnO films
nitritding
morphology
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
FILMS
Growth of ZnO single crystal by chemical vapor transport method
会议论文
3rd asian conference on crystal growth and crystal technology (cgct-3), beijing, peoples r china, oct 16-19, 2005
Zhou, JM
;
Dong, ZY
;
Wei, XC
;
Duan, ML
;
Li, JM
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浏览/下载:565/45
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提交时间:2010/03/29
zinc oxide
Microstructural and compositional characteristics of GaN films grown on a ZnO-buffered Si(111) wafer
会议论文
international wuhan symposium on advanced electron microscopy (iwsaem), wuhan, peoples r china, oct 17-21, 2003
Luo XH
;
Wang RM
;
Zhang XP
;
Zhang HZ
;
Yu DP
;
Luo MC
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浏览/下载:18/1
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提交时间:2010/10/29
transmission electron microscopy
electron energy loss spectroscopy
molecular beam epitaxy
gallium nitride
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
EPITAXY
LAYER
Gas Sensing Properties of ZnO-SnO2 Nanostructures towards CO in Transformer Oil
会议论文
Poznan, POLAND, SEP 08-11, 2014
作者:
Li, Q. Z.[1]
;
Chen, W. G.[1]
;
Gao, T. Y.[1]
;
Gan, H. L.[1]
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/11/28
Study on gas sensing charateristics of ZnO-SnO2 gas sensor to H-2
会议论文
Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 23-26, 2014
作者:
Chen Weigen[1]
;
Li Qianzhu[2]
;
Gan Hongli[1]
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/11/28
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