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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
会议论文 [4]
发表日期
2003 [1]
2001 [2]
1999 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
光电子学 [1]
半导体物理 [1]
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内容类型:会议论文
专题:半导体研究所
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Low-frequency noise properties of GaN Schottky barriers deposited on intermediate temperature buffer layers
会议论文
1st international symposium on point defect and stoichiometry, sendai, japan, mar 20-22, 2003
Leung BH
;
Fong WK
;
Surya C
;
Lu LW
;
Ge WK
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/10/29
GaN
low-frequency noise
deep levels
deep level transient Fourier spectroscopy
DEVICES
Homoepitaxial growth and device characteristics of SiC on Si-face (0001) 6H-SiC
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Li JM
;
Sun GS
;
Zhu SR
;
Wang L
;
Luo MC
;
Zhang FF
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2010/11/15
X-ray diffraction
molecular beam epitaxy
semiconducting silicon compounds
LOW-TEMPERATURE GROWTH
FILMS
Quality improvement of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Li LH
;
Pan Z
;
Zhang W
;
Lin YW
;
Wang XY
;
Wu RH
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/15
characterization
defects
X-ray diffraction
molecular beam epitaxy
nitrides
GAAS
Strain relaxation of GeSi alloy with low dislocation density grown on low-temperature Si buffers
会议论文
10th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-x), cannes, france, aug 31-sep 04, 1998
Peng CS
;
Chen H
;
Zhao ZY
;
Li JH
;
Dai DY
;
Huang Q
;
Zhou JM
;
Zhang YH
;
Tung CH
;
Sheng TT
;
Wang J
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/15
THREADING DISLOCATION
SI(100)
LAYERS
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