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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth and photoluminescence of InAlGaN films 会议论文 5th international conference on nitride semiconductors (icns-5), nara, japan, may 25-30, 2003 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：13/2  |  提交时间：2010/10/29 MULTIPLE-QUANTUM WELLS  QUATERNARY ALLOYS  OPTICAL-PROPERTIES   Optical study of localized and delocalized states in GaAsN/GaAs 会议论文 symposium on gan and related alloys held at the mrs fall meeting, boston, ma, dec 01-05, 2003 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/10/29 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ALLOYS  GAAS1-XNX  PHOTOLUMINESCENCE  RELAXATION   Optical properties of AIInGaN quaternary alloys 会议论文 conference on optoelectronic and microelectronic materials and devices (commad), sydney, australia, dec 11-13, 2002 Huang JS; Dong X; Luo XD; Liu XL; Xu ZY; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/10/29 LIGHT-EMITTING-DIODES  LOCALIZED EXCITONS  LUMINESCENCE  RELAXATION  SILICON  BAND   Selective intermixing of Ga(In)NAs/GaAs quantum well structures usingSiO(2) encapsulation and rapid thermal annealing 会议论文 asia-pacific optical and wireless communications conference (apoc 2001), beijing, peoples r china, nov 12-15, 2001 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/10/29 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  MU-M   Growth and characterization of GaInNAs/GaAs by plasma-assisted molecular beam epitaxy 会议论文 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Pan Z; Li LH; Zhang W; Wang XU; Lin YW; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 adsorption  characterization  radiation  molecular beam epitaxy  nitrides  SURFACE-EMITTING LASER  QUANTUM-WELLS  OPERATION  RANGE   Optical transitions in GaNAs/GaAs single quantum well 会议论文 international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000 Luo XD; Xu ZY; Sun BQ; Pan Z; Li LH; Lin YW; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/10/29 GaNAs  photoluminescence  band offset  band bowing coefficient  localized exciton  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ALLOYS  TEMPERATURE  GAASN