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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
会议论文 [2]
发表日期
2000 [1]
1997 [1]
学科主题
半导体物理 [2]
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内容类型:会议论文
专题:半导体研究所
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Indium-doping enhanced two-dimensional-electron-gas performance in AlGaN/GaN heterostructures
会议论文
international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000
作者:
Han PD
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/10/29
AlGaN/GaN heterostructures
In-doping
2DEG
electron sheet density
X-ray diffraction
etching
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE EPITAXY
MOBILITY
GROWTH
FILMS
The enhancement of diffusion by strain of InAs quantum dots in a GaAs matrix
会议论文
10th international conference on superlattices, microstructures and microdevices, lincoln, nebraska, jul 08-11, 1997
Wang ZM
;
Feng SL
;
Lu ZD
;
Zhao Q
;
Yang XP
;
Chen ZG
;
Xu ZY
;
Zheng HZ
收藏
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浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2010/11/15
GROWTH
INTERDIFFUSION
ISLANDS
SCALE
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