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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文    专题：西安交通大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The total ionizing dose effect on SiO2 and new high-k gate dielectrics under gamma-ray irradiation 会议论文 作者:  Ding, Man;  Cheng, Yonghong 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/11/19 Equivalent oxide thickness  Gamma irradiation  Gamma-ray irradiation  Interface trapped charges  Silicon dangling bond  Thermally oxidized  Total ionizing dose effects  Trapping efficiencies   An Effective Method to Compensate Total Ionizing Dose-Induced Degradation on Double-SOI Structure 会议论文 作者:  Huang, Yang;  Li, Binhong;  Zhao, Xing;  Zheng, Zhongshan;  Gao, Jiantou 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/11/26 Coupling effect  double SOI (DSOI)  negative back-gate bias  total ionizing dose (TID)   Synergistic effect of mixed neutron and gamma irradiation in bipolar operational amplifier OP07 会议论文 作者:  Liu Yan;  Chen Wei;  Yang Shanchao;  Jin Xiaoming;  He Chaohui 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/02 Neutron displacement effect  Bipolar device  Operational amplifier  Total ionizing dose effect  Synergistic effect   Primary total ionizing dose effect studies on Xilinx SoC irradiated with Co-60 gamma rays 会议论文 作者:  Zhang, Yao;  Du, Xin;  Du, Xuecheng;  He, Dongsheng;  Zhang, Lingang 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/02 SoC  Experimental System  TID experiment  radiation effect  TID  chip