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| 金属氧化物电阻存储器及其制备方法 专利
专利号: US8735245, 申请日期: 2014-05-27, 公开日期: 2012-09-27
作者: 吕杭炳 ; 刘明; 龙世兵; 刘琦; 牛洁斌
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| 半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2751356B2, 申请日期: 1998-02-27, 公开日期: 1998-05-18
作者: 井手 雄一
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| 半導体レ-ザ装置の製造方法 专利
专利号: JP1995038486B2, 申请日期: 1995-04-26, 公开日期: 1995-04-26
作者: 宇野 智昭; 芹澤 晧元
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| 半導体レ-ザ 专利
专利号: JP1995016080B2, 申请日期: 1995-02-22, 公开日期: 1995-02-22
作者: 萬濃 正也; 小倉 基次
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| 半導体レ-ザ装置 专利
专利号: JP1994046666B2, 申请日期: 1994-06-15, 公开日期: 1994-06-15
作者: 宮沢 誠一; 野尻 英章; 原 利民; 清水 明; 関口 芳信
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| - 专利
专利号: JP1993065072B2, 申请日期: 1993-09-16, 公开日期: 1993-09-16
作者: WATANABE MASANOBU; YAJIMA HIROYOSHI; MUKAI SEIJI; ITO HIDEO
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| Process for the selective growth of GaAs 专利
专利号: US5185289, 申请日期: 1993-02-09, 公开日期: 1993-02-09
作者: MEIER, HEINZ P.; VAN GIESON, EDWARD A.; WALTER, WILLI
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| Process for the selective growth of GaAs 专利
专利号: EP0348540B1, 申请日期: 1993-01-20, 公开日期: 1993-01-20
作者: MEIER, HEINZ PETER; GIESON, EDWARD A. VAN; WALTER, WILLI
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| Semiconductor light emitting element 专利
专利号: JP1992306886A, 申请日期: 1992-10-29, 公开日期: 1992-10-29
作者: YOSHIDA NAOTO
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| Formation of electrode of semiconductor optical element 专利
专利号: JP1991203284A, 申请日期: 1991-09-04, 公开日期: 1991-09-04
作者: ISODA YOICHI
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