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| DBR using the combination of II-VI and III-V materials for the application to 3-55 mum 专利
专利号: US20050243887A1, 申请日期: 2005-11-03, 公开日期: 2005-11-03
作者: KWON, HOKI
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| 半導体発光素子およびその製造方法 专利
专利号: JP1998303514A, 申请日期: 1998-11-13, 公开日期: 1998-11-13
作者: 佐々井 洋一; 上山 智; 齋藤 徹; 辻村 歩; 西川 孝司
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| 半導体発光素子およびその製造方法 专利
专利号: JP1998209559A, 申请日期: 1998-08-07, 公开日期: 1998-08-07
作者: 宮永 良子; 上山 智; 横川 俊哉; 吉井 重雄
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| 半導体レーザ 专利
专利号: JP1997045997A, 申请日期: 1997-02-14, 公开日期: 1997-02-14
作者: 佐々井 洋一; 横川 俊哉
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| 半導体デバイスおよびインジェクションレーザ 专利
专利号: JP1995074433A, 申请日期: 1995-03-17, 公开日期: 1995-03-17
作者: ジェームス ディー チャディ; 鈴木 徹
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| 発光素子 专利
专利号: JP1994302859A, 申请日期: 1994-10-28, 公开日期: 1994-10-28
作者: 大川 和宏; 高橋 康仁; 成沢 忠; 三露 恒男
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| Semiconductor laser 专利
专利号: JP1991119780A, 申请日期: 1991-05-22, 公开日期: 1991-05-22
作者: WADA HIROSHI; HORIKAWA HIDEAKI; MATSUI YASUHIRO
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