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| LED having a low defect N-type layer that has grown on a silicon substrate 专利
专利号: US8865565, 申请日期: 2014-10-21, 公开日期: 2014-10-21
作者: CHEN, ZHEN
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| Quantum cascade laser element 专利
专利号: EP2747221A1, 申请日期: 2014-06-25, 公开日期: 2014-06-25
作者: HIRAYAMA, HIDEKI; LIN, TSUNG-TSE
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| 半導体光素子および光通信システム 专利
专利号: JP2889594B2, 申请日期: 1999-02-19, 公开日期: 1999-05-10
作者: 魚見 和久; 大歳 創; 土屋 朋信; 佐々木 真二; 茅根 直樹
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| 化合物半導体発光素子 专利
专利号: JP2643322B2, 申请日期: 1997-05-02, 公开日期: 1997-08-20
作者: 右田 雅人; 大家 彰; 椎木 正敏
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| Semiconductor laser 专利
专利号: JP1992321290A, 申请日期: 1992-11-11, 公开日期: 1992-11-11
作者: KOBAYASHI YUTAKA
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| Semiconductor laser element capable of changing emission wavelength, and method of driving the same 专利
专利号: US5155736, 申请日期: 1992-10-13, 公开日期: 1992-10-13
作者: ONO, TAKEO; SAKATA, HAJIME
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| Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1991239385A, 申请日期: 1991-10-24, 公开日期: 1991-10-24
作者: IWAMURA HIDETOSHI; UENOHARA HIROYUKI; MIYAZAWA TAKEO; NAGANUMA MITSURU
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| Tm laser 专利
专利号: JP1991184388A, 申请日期: 1991-08-12, 公开日期: 1991-08-12
作者: YOOHAN BERIKUISUTO; ODA HITOSHI
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| Semiconductor structure and semiconductor laser device 专利
专利号: JP1991179790A, 申请日期: 1991-08-05, 公开日期: 1991-08-05
作者: KONDO MASAHIKO
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| Semiconductor optical light emitting device 专利
专利号: JP1991034593A, 申请日期: 1991-02-14, 公开日期: 1991-02-14
作者: NOZAKI CHIHARU; ISHIKAWA MASAYUKI; UEMATSU YUTAKA
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