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Semiconductor multilayer film reflecting mirror, vertical cavity light-emitting element using the reflecting mirror, and methods for manufacturing the reflecting mirror and the element 专利
专利号: EP3336981A1, 申请日期: 2018-06-20, 公开日期: 2018-06-20
作者:  TAKEUCHI, TETSUYA;  AKASAKI, ISAMU;  AKAGI, TAKANOBU
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Dioda laserowa na bazie stopu AllnGaN 专利
专利号: PL228535B1, 申请日期: 2017-11-06, 公开日期: 2018-04-30
作者:  STAŃCZYK SZYMON;  KAFAR ANNA;  CZERNECKI ROBERT;  SUSKI TADEUSZ;  PERLIN PIOTR
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Iii-nitride light emitting diodes with tunnel junctions wafer bonded to a conductive oxide and having optically pumped layers 专利
专利号: WO2017136832A1, 申请日期: 2017-08-10, 公开日期: 2017-08-10
作者:  MUGHAL, ASAD J.;  KOWSZ, STACY J.;  FARRELL, ROBERT M.;  YONKEE, BENJAMIN P.;  YOUNG, ERIN C.
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Gallium nitride-based semiconductor laser device, and method for fabricating gallium nitride-based semiconductor laser device 专利
专利号: US8477818, 申请日期: 2013-07-02, 公开日期: 2013-07-02
作者:  KUMANO, TETSUYA;  UENO, MASAKI;  KYONO, TAKASHI;  ENYA, YOHEI;  YANASHIMA, KATSUNORI
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Semi-polar nitride-based light emitting structure and method of forming same 专利
专利号: US8330144, 申请日期: 2012-12-11, 公开日期: 2012-12-11
作者:  STRITTMATTER, ANDRE;  JOHNSON, NOBLE M.;  TEEPE, MARK;  CHUA, CHRISTOPHER L.;  YANG, ZHIHONG
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High indium containing InGaN substrates for long wavelength optical devices 专利
专利号: US8306081, 申请日期: 2012-11-06, 公开日期: 2012-11-06
作者:  SCHMIDT, MATHEW;  D'EVELYN, MARK P.
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Method of making nitride semiconductor laser, method of making epitaxial wafer, and nitride semiconductor laser 专利
专利号: US8295317, 申请日期: 2012-10-23, 公开日期: 2012-10-23
作者:  UENO, MASAKI;  KYONO, TAKASHI
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Gallium nitride-based semiconductor optical device, method of fabricating gallium nitride-based semiconductor optical device, and epitaxial wafer 专利
专利号: US8228963, 申请日期: 2012-07-24, 公开日期: 2012-07-24
作者:  ENYA, YOHEI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  OSADA, HIDEKI;  ISHIBASHI, KEIJI;  AKITA, KATSUSHI
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Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same 专利
专利号: US8189637, 申请日期: 2012-05-29, 公开日期: 2012-05-29
作者:  KASUGAI, HIDEKI;  IKEDO, NORIO
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Vertical gallium-nitride-based LED chip has buffer layer, un-doped aluminum-gallium-indium nitride layer, doped aluminum-gallium-indium nitride layers, multiquantum well layer, indium-tin oxide layer, and nickel/gold electrode. 专利
申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2012-10-17
作者:  LIN G LIU Q QIN F
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